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适用于粉体材料的表面薄膜沉积，在超大规模集成电路、光电器件、MEMS等领域具有广泛的应用。
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PECVD等离子气相沉积设备是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜, 该系统主要用于金属粉末镀膜。
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CVD 管式炉系统由：管式炉加热区系统，质子流量计供气系统，真空系统和气体定量系统组成。适用于 CVD 工艺，如碳化硅镀膜、陶瓷基 片导电率测试、ZnO 纳米结构的可控生长、陶瓷电容 (MLCC) 气氛烧结等实验。
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该pecvd设备是由管式炉真空泵和六通道质量流量计气体流动系统组成的。它可以混合1-6种气体用于PECVD或扩散。
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整套体系可在真空/气氛保护环境下工作。 收放卷机构转速从1~400mm/min可调,机构采用反馈调节，可自动纠正转速偏差，保证样品的速度稳定不走样。
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该PECVD管式炉度范围宽；溅射区域长；整管可调；精致小巧，性价比高，可实现快速升降温，是实验室生长薄膜石墨烯，金属薄膜，陶瓷薄膜，复合薄膜等的理想选择，也可作为扩展等离子清洗刻蚀使用。
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主要用于TaC、HfC等物料及其复合碳化物等超高熔点涂层化学气相沉积制备工艺研究。
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滑道式PECVD系统由PT-1200T管式炉加热系统、真空系统、质量流量计供气系统、等离子射频电源系统组成。广泛应用于沉积高质量SiO2薄膜、Si3N4薄膜、金刚石薄膜、硬质薄膜、光学薄膜和炭纳米管（CNT）等。
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广泛应用于沉积高质量、SiO2薄膜、Si3N4薄膜、SiC薄膜、硬质薄膜、光学薄膜和炭纳米管（CNT）、石墨烯材料等。
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KJ-1200T-S6012LK1-4Z5S石墨烯生长炉是一种特殊的CVD系统，是专门为在金属箔（像铜箔、铝箔等）上生长薄膜而设计，广泛应用在新一代能源关于柔性金属箔电极方面的研究上，特别适用于碳纳米管、碳纳米线、石墨烯的生长。
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KJ-T1200-S6012LK1-3FH5S型高温真空CVD设备由KJ-T1200滑动式快速退火管式炉+真空系统+供气系统组成 ，最高温度可以达到1200度,可以是单温区、双温区、三温区等，极限真空可以达到10-3Pa，供气系统是流量调节可以是质子流量计或浮子流量计，混气路数可以是2路、3路、4路、5路相混合，可以对多种气体进行准确的混气，然后导入到管式炉内部。炉管两端安装真空法兰，可以通过选配真空泵组来实现更高的真空度。炉底安装一对滑轨，可用手动滑动。为取得最快加热，可以预先加热炉子到设定的温度，然后移动炉子到样品位置。
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该系统广泛用于各种反应温度在1100℃左右的CVD实验，如半导体工业中沉积薄膜材料，包括大范围的绝缘材料，以及大多数金属材料和金属合金材料、二维材料等，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容（MLCC）气氛烧结等实验。是高校、科研院所、工矿企业做高温气氛烧结、气氛还原、CVD实验、真空退火用的理想产品。
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该设备可在片状或类似形状样品表面沉积SiOx、SiNx、非晶硅、微晶硅、纳米硅、SiC、类金刚石等多种薄膜，并可沉积p型、n型掺杂薄膜。沉积的薄膜具有良好的均匀性、致密性、粘附性、绝缘性。广泛应用于刀具、高精模具、硬质涂层、高端装饰等领域。
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