设备介绍
这款CVD反应炉控制电路选用模糊PID程控技术，该技术控温精度高，热惯性小，温度不过冲，性能可靠，操作简单，中真空系统具有真空度上下限自动控制功能，高真空系统采用高压强，耐冲击分子泵防止意外漏气造成分子泵损坏，延长系统使用寿命。此款三温区CVD生长系统适用于CVD工艺，如
碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电(MLCC)气氛烧结等实验。
产品优势
PID程控控制系统
控制电路选用模糊PID程控技术，该技术控温精度高，热惯性小，温度不过冲，性能可靠
耐冲击高真空系统
高真空系统采用高压强，耐冲击
真空泵，防止意外漏气造成真空泵损坏，延长系统使用寿命
刚玉材质炉管
炉管采用刚玉材质，工作温度可达1600度，具有高温稳定性和耐腐蚀性，加热均匀性好
技术参数
名称 高温三温区CVD设备
型号 KJ-OTF-1700-F5
加热系统
显示 LED
最高温度 1700℃
工作温度 ≤1600℃
升温速率 建议0~10℃/min
温区数量 3
温区长度 220mm(其他尺寸可根据客户需求定制)
加热元件 硅钼棒
热电偶 B型
控温精度 ±1℃
管尺寸 外径80mm * 长度1400mm
(其他尺寸可根据客户需求定制)
材质：刚玉
温度控制 PID自动控制
温控方式 30段可编程
真空计 复合真空计
真空法兰 带阀门和针头的不锈钢真空法兰
真空泵系统
真空泵组(旋片泵+扩散泵) 冷态极限真空6.67*10-3Pa。
质量流量计(5气路)
流量范围 (20, 30, 50, 100, 200, 300, 500) SCCM
505 
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