设备介绍
该双炉体CVD系统为定制款，适用于CVD工艺，如
碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容(MLCC)气氛烧结等实验。
产品优势
PID温控系统
控制电路选用模糊PID程控技术，该技术控温精度高，热惯性小，温度不过冲，性能可靠，操作简单
专利法兰设计
气路快速连接法兰结构采用本公司独有的知识产权专利设计,提高操作便捷性
智能真空系统
中真空系统具有真空度上下限自动控制功能，高真空系统采用高压强耐冲击分子泵，防止意外漏气造成分子泵损坏
技术参数
产品型号 KJ-T1200-W2
管式炉部分
炉体结构 双层壳体结构，配有冷风系统自动降温炉壳温度
炉膛材质 日本技术真空吸附成型的优质高纯
氧化铝多晶纤维固化炉膛，材料保温性能好、反射率高、温场均衡
最高温度 1200℃
使用温度 ≤1100℃
升温速度 推荐≤10℃/min
炉管材料 石英管
炉管尺寸 外径:50mm*内径:44mm* 长1400mm
(其他尺寸可根据客户需求定制)
加热区长度 200mm+200mm(双炉体)
(其他尺寸可根据客户需求定制)
法兰 不锈钢密封法兰，拆卸方便，法兰上装有精密针阀
温控系统 温度控制系统采用人工智能调节技术，具有PID调节、自整定功能，并可编制30段升降温程序;
1、采用PID方式调节控温，可设置30段升降温程序
2、控温精度±1ºC
3、具有过温保护、断偶保护
4、仪表具有温度自整定的功能
加热元件 合金电阻丝
测温元件 2支N型热电偶分别独立控温
进出气口 法兰上含有进出气口和精密针阀
气路系统部分
质量流量计
二路精密质量流量计：数字显示、气体流量自动控制。
MFC1 N2 范围: 0-1000 sccm
MFC2 CO2范围: 0-1000 sccm
气路:2路
502 
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