设备介绍
KJ-T1600 CVD 是一种管式炉，具有 80mm 直径的
氧化铝管和三通道质量流量计气体流动系统。 它可以混合1-3种气体用于CVD或扩散。此款CVD生长系统适用于CVD工艺，如
碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容(MLCC)气氛烧结等实验。
产品优势
刚玉材质炉管
炉管采用刚玉材质，工作温度可达1500度，具有高温稳定性和耐腐蚀性，加热均匀性好
控温精度可达±1℃
控温系统采用PID方式调节，可以设置30段升降温程序，控温精度可以达到±1℃
触屏操作简单快捷
采用触屏操作系统，数据可存储可通过EXCEL输出
技术参数
产品名称 3通道CVD设备
型号 KJ-T1600 -3M
管式炉部分
显示 液晶触摸屏
最高温度 1600℃
工作温度 ≤1500℃
升温速率 建议0~10℃/min
温区 300mm(其他尺寸可根据客户需求定制)
加热元件 硅钼棒
热电偶 B型
温度控制精度 ±1℃
炉管尺寸 外径80mm*长度1000mm(其他尺寸可根据客户需求定制)
材质：刚玉
塞砖 包括两个纤维陶瓷块，用于阻挡来自管内的热辐射(陶瓷块必须在加热前完全插入炉腔)
温度控制 PID自动控制
真空法兰 带阀门的不锈钢真空法兰
质量流量计(液晶触摸屏)
三台精密质量流量计： MFC 1：气体流量范围0~100 sccm MFC 2：气体流量范围0~200 sccm MFC 3：气体流量范围0~200 sccm (气体流量范围可根据您的要求) 底壳安装1个气体混合罐，底壳左侧安装3个不锈钢针阀，手动控制3种气体混合。
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