设备介绍
PECVD系统是借助射频使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。该PECVD管式炉温度范围宽;溅射区域长;整管可调;精致小巧，性价比高，可实现快速升降温，是实验室生长薄膜
石墨烯，金属薄膜，陶瓷薄膜，复合薄膜等的理想选择，也可作为扩展等离子清洗刻蚀使用。
产品优势
更好的沉积效率
PECVD比普通CVD具有更高的化学气相沉积速率、更好的均匀性、一致性和稳定性
所需温度更低
PECVD对于化学气相沉积需要比普通CVD更低的温度
成品质量好
具有基本温度低、沉积速率快、成膜质量好、针孔较少、不易龟裂等优点
技术参数
产品名称 1200℃PECVD系统
产品型号 KJ-PECVD-1200-50*300-F3
加热系统
显示 LED
最高温度 1200℃
长期工作温度 ≤1100℃
升温速率 0~10℃/min
温区长度 300mm(其他尺寸可根据客户需求定制)
加热元件 硅钼棒
热电偶 N型
温度均匀性 ±1℃
炉管尺寸 直径60 x 长度1200mm(其他尺寸可根据客户需求定制)
温度控制 通过可控硅功率控制进行PID自动控制
加热过程 30步可编程
最大工作压力 0.02MPa
真空系统
旋片泵 冷态极限真空10Pa
真空计 数显真空计
真空法兰 带阀门和针头的不锈钢真空法兰
质量流量计
流量范围 CO2(流量范围：0-200 sccm
CH4(流量范围：0-200 sccm)
N2 流量范围(流量范围：0-200 sccm)
等离子射频发生器
输出功率：0 -300W可调，±1%稳定性
射频频率：13.56 MHz ±0.005% 稳定性
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