设备介绍
该产品是由射频电源、气体质子流量控制系统、衬底控温系统、真空系统组成，适用于室温至1200℃条件下进行SiO2、SiNx薄膜的沉积，同时可实现TEOS源沉积，SiC膜层沉积以及液态气态源沉积其它材料，尤其适合于有机材料上高效保护层膜和特定温度下无损伤钝化膜的沉积。
产品优势
更好的沉积效率
PECVD比普通CVD具有更高的化学气相沉积速率、更好的均匀性、一致性和稳定性
所需温度更低
PECVD对于化学气相沉积需要比普通CVD更低的温度
成品质量好
具有基本温度低、沉积速率快、成膜质量好、针孔较少、不易龟裂等优点
技术参数
产品名称 PECVD系统
产品型号 KJ-T1200-PE
外壳 不锈钢
加热元件 电阻丝
最高温度 1200°C
工作温度 ≤1100 °C
温度均匀 ±1°C
升温速率 ≤10 °C/min
炉管尺寸 Φ200×1400mm(其他尺寸可根据客户需求定制)
管材 优质石英管
加热区长度 300mm(其他尺寸可根据客户需求定制)
密封 法兰
温度控制 30 个可编程段，用于准确控制加热速率、冷却速率和停留时间。
内置 PID 自动调谐功能，具有过热和热电偶断路保护。
过温保护和警报允许在没有服务人员的情况下进行操作。
+/- 1 ºC 温度精度。
准确 ±1°C
466 
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