设备介绍
PECVD系统是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜, 该系统广泛应用于沉积SiO2薄膜、Si3N4薄膜、金刚石薄膜、硬质薄膜、光学薄膜和炭纳米管(CNT)、
石墨烯材料等。
工作原理
PECVD技术是在低气压下，利用低温等离子体在工艺腔体的阴极上(即样品放置的托盘)产生辉光放电，利用辉光放电(或另加发热体)使样品升温到预定的温度，然后通入适量的工艺气体，这些气体经一系列化学反应和等离子体反应，最终在样品表面形成固态薄膜。在反应过程中，反应气体从进气口进入炉腔，逐渐扩散至样品表面，在射频源激发的电场作用下，反应气体分解成电子、离子和活性基团等。这些分解物发生化学反应，生成形成膜的初始成分和副反应物，这些生成物以化学键的形式吸附到样品表面，生成固态膜的晶核，晶核逐渐生长成岛状物，岛状物继续生长成连续的薄膜。在薄膜生长过程中，各种副产物从膜的表面逐渐脱离，在
真空泵的作用下从出口排出。其工艺原理示意图如图1所示。
PECVD设备工作原理示意图
基本结构
PECVD设备主要由真空和压力控制系统、淀积系统、气体及流量控制、系统安全保护系统、计算机控制等部分组成。其设备结构框图如下图所示。
PECVD结构示意图
产品优势
1、加热元件采用掺钼合金加热丝，炉膛保温保温材料采用
氧化铝陶瓷纤维材料，保温性能好，耐用，拉伸强度高，无杂球，纯度高，节能效果明显。
2、整个炉体采用双层内胆式结构，中间有气隙隔离，即使炉膛温度高达1200℃，炉体表面仍然可以安全触摸无滚烫感觉。
3、炉膛采用节能材料制作，整机能耗仅仅只有同等传统电炉的1/3，节能环保。
4、炉体配有：输出电压和输出电流监测表，炉子加热状态一目了。
5、超温报警并断电，漏电保护，操作安全可靠具有多重防护功能。
技术参数
产品名称 管式PECVD系统
滑道管式炉部分
产品型号 KJ-T1200
加热区长度 300mm(其他尺寸可根据客户需求定制)
炉管尺寸 直径120*1600mm(其他尺寸可根据客户需求定制)
工作温度 ≦1100℃
最高温度 1200℃
测温元件 N型热电偶
温控系统 30段PID微电脑可编程自动控制
保温温控精度 ±1℃
温控保护 具有超温和断偶保护功能
升温速率 0-10℃/min
加热元件 电阻丝
炉膛材料 采用多晶纤维炉膛材料，材料保温性能好、反射率高、温场均衡
密封系统 该炉炉管与法兰之间采用O型圈挤压密封、撤卸方便、可重复撤卸，气密性好
炉 管 高纯石英管
法 兰 304不锈钢密封法兰，已安装机械压力表和不锈钢截止阀，方便拆卸，放取材料
炉体结构 厚钢板双向滑轨，可实现管式炉移动，达到快速升温和降温
真空系统部分
名称 旋片泵
主要参数 极限真空度10Pa(包含KF25接口、真空挡板阀和可移动箱体)
真空显示 电阻数显真空计，显示范围标准大气压--10-1pa
气路系统部分
名称 四路质量流量计
气路 四路
流量控制 数字显示，每路气体含有针阀单独控制，气体流量自动控制
进出气口 四进一出，内置精密混气罐
链接方式 双卡套接头
流量范围 MFC1-MFC4：0-500sccm(量程可选)
控制精度 ±1.5%F.S左右，量程不同，略有差别
等离子射频器部分
名称 射频自动匹配器
匹配功率范围 0-500W
工作频率 13.56MHZ+0.005%
正常工作反射功率 <3W
匹配时间 <3S
传输效率 >90%
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