设备介绍
该设备是一款带有预热系统的滑动PECVD系统。该系统包含等离子射频电源，预热炉，滑动式管式炉，4通道质量流量供气系统和旋片泵组成。 PECVD系统是借助射频使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜，可用于生长纳米或CVD方法来制作各种薄膜。 该等离子化学沉积系统广泛应用于沉积高质量、SiO2薄膜、Si3N4薄膜、SiC薄膜、硬质薄膜、光学薄膜和炭纳米管(CNT)、
石墨烯材料等。是应用于生长纳米线或用CVD方法来制作各种薄膜的一款新的探索工具。
产品优势
带有预热炉
带有预热炉，气体可通过此炉预热也可将液体蒸发气化或固体原料升华后与气体原料混合
沉积温度低
与普通PECVD相比较，其沉积温度大大降低，减少了高温对薄膜的损坏
沉积效果好
等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜
技术参数
产品名称 带预热系统滑动式PECVD设备
滑轨管式炉部分
产品型号 KJ-T1200-S06LC-YR
炉管尺寸 直径60mm*长度1600mm
可选其他直径Φ50/80/100/120/150mm
(其他尺寸可根据客户需求定制)
炉管材质 石英管
加热区 双温区，每个温区长度200mm
(其他尺寸可根据客户需求定制)
工作温度 ≤1100℃
最高温度 1200℃
温控方式 N型热电偶
控制方式 触屏控制
控温精度 ±1℃
温控保护 具有超温和断偶保护功能
升温速率 建议≤10ºC/min
加热元件 含钼电阻丝
炉体结构 炉体带滑轨，可实现快速升温和降温
法兰接头 标配配有两个不锈钢真空法兰，已安装机械压力表和不锈钢截止阀
密封系统 该炉炉管与法兰之间采用硅胶O型圈挤压密封、撤卸方便、可重复撤卸，气密性好。
预热炉部分
主要参数 最高温度1100度 ，多段程序控温，可将固体和液体原料放在预热炉中，气化后与气体原料相混合
真空系统部分
主要参数 采用机械，可实现炉管内的真空
气路系统部分
名称 四路质量流量计(量程可选)
等离子电源部分
功率范围 0-500W(连续可调)
售后服务 质保一年，终身保修(耗材类：高温密封圈、炉管、加热元件等及人为损坏不属于质保范围)
更多规格可根据客户需求定制
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