产品介绍
KJ-T1200-S6012LK1-4Z5S型
石墨烯生长炉是一种特殊的CVD系统，是专门为在金属箔(像
铜箔、
铝箔等)上生长薄膜而设计;广泛应用在新一代能源关于柔性金属箔电极方面的研究上，特别适用于
碳纳米管、碳纳米线、石墨烯的生长。该设备由KJ-1200T管式炉+真空系统+供气系统+水冷系统组成 ，最高温度可以达到1200度,可以是单温区、双温区、三温区等，极限真空可以达到10-3Pa，供气系统是流量调节可以是质子流量计或浮子流量计，混气路数可以是2路、3路、4路、5路相混合。软件控制系统：该炉配有通讯接口和软件，可以直接通过电脑控制炉子的各个参数，并能从电脑上观察到炉子上PV和SV温度值和仪表的运行情况，炉子的实际升温曲线电脑会实时绘出，并能把每个时刻的温度数据保存起来，随时可以调出。
产品优势
成品质量好
PECVD具有基本温度低、沉积速率快、成膜质量好、针孔较少、不易龟裂等优点
沉积效果好
等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜
智能多段PID可编程
采用双层壳体结构和宇电控温仪表，能进行30段程序控温，移相触发、可控硅控制
技术参数
产品名称 1200℃石墨烯生长炉
产品型号 KJ-1200T-S6012LK1-4Z5S
管式炉
加热区长度 440mm(其他尺寸可根据客户需求定制)
工作温度 ≤1100℃
最高温度 1200℃
炉管尺寸 Φ60×1440mm(其他尺寸可根据客户需求定制)
等离子射频电源
输出功率 5 ～500W ± 1% .
真空度 10-3torr
波纹管 KFD25 快接，不锈钢波纹管，手动挡板阀与法兰，真空泵相连.
质量流量计
四通道控制 精度0.02% 、数字显示、自动控制
水冷系统
水冷法兰要求 水流量 >= 10L/M ，配有专业水冷机组
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