设备介绍
该pecvd设备是由管式炉
真空泵和六通道质量流量计气体流动系统组成的。它可以混合1-6种气体用于PECVD或扩散。该PECVD管式炉通过射频电源将石英真空室中的气体改变为离子状态，等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。该系统主要用于金属薄膜、陶瓷薄膜、复合薄膜、
石墨烯等的生长。
产品优势
更好的沉积效率
PECVD比普通CVD具有更高的化学气相沉积速率、更好的均匀性、一致性和稳定性
所需温度更低
PECVD对于化学气相沉积需要比普通CVD更低的温度
成品质量好
具有基本温度低、沉积速率快、成膜质量好、针孔较少、不易龟裂等优点
技术参数
型号 KJ-PECVD-LM
管式炉部分
Display 触摸屏
连续工作温度.
≤1100℃第一温区
≤1100℃第二温区
≤1600℃第三温区
升温速率 建议: 0~10℃/min
温区 220mm+220mm+220mm
(其他尺寸可根据客户需求定制)
加热元件 硅碳棒和硅钼棒
热电偶 N型和B型
温度控制精度 ±1℃
炉管尺寸 直径:80 *长度:1600mm
(其他尺寸可根据客户需求定制)
温度控制 通过SCR功率控制的PID自动控制
倾斜功能 0-15度
(不建议在1100C温度下使用倾斜功能，因为硅钼棒加热元件可能容易损坏。高温时会变软，请注意。)
加热曲线 30步可编程
真空法兰
带阀门的不锈钢真空法兰
右侧法兰为滑动式。
法兰应为水冷式。
等离子射频
功率范围 0-300W(连续可调)
控制模式 手动
工作频率 13.56MHz
报警保护 直流过载保护、直流/放大器过热保护、反射功率保护、匹配超时保护
射频输出阻抗接口(50Ω) N型
功率稳定性 ≤ 1 W
最大反射功率 200 W
真空泵系统
分子泵系统 极限真空：6.7*10-3Pa。包括数字真空计
质量流量计(LCD触摸屏) 六个精密质量流量计：MFC精度为：±1.5%F.S。
17MHZ超声波雾化
配超声波雾化器，液体可雾化成液体颗粒并引入管式炉。
•液体罐标配不锈钢，并用氟橡胶密封件密封;
•雾化量大小可控制;
液体注入系统
•一套用于自动液体供给的标准液体注入泵
•注射泵配有注射器，用于容纳液体;
•注射泵速度可调节
水冷却器 用于冷却水冷法兰和真空泵。
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