设备介绍
PECVD系统由管式炉，真空系统、供气系统、射频电源系统等组成。PECVD系统是借助射频使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。PECVD增加功能容易，可扩展等离子清洗刻蚀等功能，PECVD系统薄膜沉积速率高、均匀性好、一致性和稳定性高等优点。 等离子增强化学沉积系统广泛应用于沉积高质量、SiO2薄膜、Si3N4薄膜、SiC薄膜、硬质薄膜、光学薄膜和炭纳米管(CNT)、
石墨烯材料等。
产品优势
成品质量好
PECVD具有基本温度低、沉积速率快、成膜质量好、针孔较少、不易龟裂等优点
沉积效果好
等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜
薄膜应力大小可调
可以通过射频电源的频率来控制所沉积薄膜的应力大小
技术参数
产品名称 高真空PECVD设备(CE认证)
滑轨管式炉部分
产品型号 KJ-T1200-S5030-H
炉管尺寸 Φ50mmX1600mm (其他尺寸可根据客户需求定制)
炉管材质 石英管
加热区 300mm(其他尺寸可根据客户需求定制)
工作温度 ≤1100℃
最高温度 1200℃
温控方式 N型热电偶
控制方式 触屏控制，带独立摇臂，可以根据实际使用需求，调节温控屏的角度，使用更方便
控温精度 ±1℃
温控保护 具有超温和断偶保护功能
升温速率 建议≤10ºC/min
加热元件 含钼电阻丝
炉体结构 炉体带滑轨，可实现快速升温和降温
法兰接头 标配配有两个不锈钢真空法兰，已安装机械压力表和不锈钢截止阀
密封系统 该炉炉管与法兰之间采用硅胶O型圈挤压密封、撤卸方便、可重复撤卸，气密性好。
壳体 不锈钢壳体
选配 辅助降温风扇
真空系统部分
名称 真空系统
主要参数
1.采用进口安捷伦高真空分子泵组，极限真空度可达10-3pa
2.KF25快接，不锈钢波纹管，手动挡板阀与法兰，
真空泵相连;
3.数字式真空显示，测量精度高
气路系统部分
名称 四路质量流量计
主要参数
四通道精密质量流量计：触屏控制，数字显示，自动控制。
4个不锈钢针阀安装在供气系统的左侧，可手动控制4种气体;
进出气口：3进1出
流量控制：手动旋转式调节
等离子电源部分
名称 500W等离子电源
售后服务 质保一年，终身保修(耗材类：高温密封圈、炉管、加热元件等不属于质保范围)
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