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郑州卓泰检测设备有限公司是一家专注于光学检测设备研发与生产的高新技术企业，其推出的台式三目倒置金相显微镜4XC-TV，凭借卓越的性能和人性化设计，成为材料分析领域的重要工具。该设备集光学成像、数字处理与精密机械于一体，可广泛应用于金属、陶瓷、半导体等材料的微观组织观察与缺陷检测，为科研与工业质量控制提供可靠支持。
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箱式化学气相沉积系统采用炉体和智能控制一体化设计，整个炉体美观、大方。PID可编程序智能控温，移相触发，炉膛采用氧化铝多晶体纤维材料，双层炉壳间配有风冷循环系统，炉门底部升降，节能安全。化学气相沉积(CVD)是指化学气体或蒸汽在基质表面反应合成涂层或纳米材料的方法，是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积薄膜材料的技术，包括大范围的绝缘材料，以及大多数金属材料和金属合金材料、二维材料等，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容(MLCC)气氛烧结等实验。
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定制流化床CVD系统，由真空立式管式炉、供气系统、真空系统、真空测量系统组成。该系统以硅碳棒为加热元件，采用双层壳体结构和30段程序控温仪表，移相触发、可控硅控制，炉膛采用氧化铝多晶纤维材料，炉管两端用不锈钢法兰密封，不锈钢法兰上安装有气嘴、阀门和压力表，真空泵接口，具有温场均衡、表面温度低、升降温度速率快、节能等优点。该立式CVD管式炉广泛应用于半导体工业中沉积薄膜材料，包括大范围的绝缘材料，以及大多数金属材料和金属合金材料、二维材料等
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该系统是一个特殊的双管CVD系统,是专门为在金属箔上生长薄膜而设计,特别是应用在新一代能源关于柔性金属箔电极方面的研究。炉底部装有滑轨，可通过滑动炉子可以实现物料的快速加热和冷却。该cvd高温炉广泛应用于半导体工业中沉积薄膜材料，包括大范围的绝缘材料，以及大多数金属材料和金属合金材料、二维材料等，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容(MLCC)气氛烧结等实验。
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KJ-T1200-S60K-4C型四路高温真空CVD设备由KJ-T1200滑动式快速退火管式炉+真空系统+供气系统组成 ，最高温度可以达到1200度，极限真空可以达到10-3Pa，供气系统是流量调节可以是质子流量计，可以对多种气体进行准确的混气，然后导入到管式炉内部。快速退火炉炉管两端安装真空法兰，真空度用分子泵可以到10-5Torr，机械泵可到10-3Torr。炉底安装一对滑轨，可用手动滑动。加为取得最快加热，可以预先加热炉子到设定的温度，然后移动炉子到样品位置。为获得最快冷却，可在样品加热后移动炉子到另一端，是低成本快速热处理的理想炉子。
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该设备由蒸发器、混合器和反应器组成。采用氧化铝纤维耐火材料。设备技术成熟、质量可靠，温场均匀，结构合理，30段可编程温控系统，气路选用液晶屏触摸界面，使得操作异常简单、方便设置各项技术参数。该CVD高温炉广泛应用于半导体工业中，包括大范围的绝缘材料，以及大多数金属材料和金属合金材料等的镀膜，该CVD镀膜设备可在目标材料表面形成密集的HfCl4涂层.适用于各大高校材料实验室、科研院所、环保科学等领域。
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KJ-T1200 CVD是一种管式炉，配备100mm直径石英管、真空泵和五通道质量流量计气体流动系统。 它可以混合1-5种气体用于CVD或扩散。该CVD高温管式炉主要用于大学，科研机构和生产企业进行气相沉积相关的实验与生产。
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KJ-CVD 是一种分体式管式炉，配备 60mm 直径的石英管、真空泵和四通道质量流量计气体流动系统。 可混合1-6种气体进行CVD。款CVD生长系统适用于CVD工艺，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容(MLCC)气氛烧结等实验。
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该高温化学气相沉积系统的工作温度为300℃至1600℃，配备真空泵，气体混合装置。采用温度控制系统，高温精度，出色的气体流量精度，易于操作，出色的隔热效果和温度均匀性。 主要用于大学，科研机构和生产企业进行气相沉积相关的实验与生产。
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该设备是一款带有预热系统的滑动PECVD系统。该系统包含等离子射频电源，预热炉，滑动式管式炉，4通道质量流量供气系统和旋片泵组成。 PECVD系统是借助射频使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜，可用于生长纳米或CVD方法来制作各种薄膜。
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科佳高真空PECVD设备由管式炉、真空系统、气体供应系统、射频电源系统等组成。通过射频电源将石英真空室中的气体改变为离子状态，等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。该系统主要用于金属薄膜、陶瓷薄膜、复合薄膜、石墨烯等的生长。
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该立式双温区CVD系统主要由：1200度双温区管式炉、3通道质量流量计供气系统、2L/S抽速真空泵及相关连接件组成;设备下方加装定向轮和万向轮，设备整体占地尺寸小并可灵活移动。该设备适用于CVD工艺，主要用于大学，研究中心和生产企业进行气相沉积相关的实验与生产。
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科佳公司研制开发了碳纳米管、纳米线连续生长专用设备，该设备由气流控制系统、注液系统、多级温控多区生长系统、水冷系统、碳纳米管等组成。碳纳米管生长炉最高工作温度为1400℃，可在0-1400℃之间连续调节，热场垂直分布，两点控温。设备顶部设有注液口和导流件。这种碳纳米管/薄膜CVD设备可以实现连续和不间断生长。
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KJ-T1200-S60LC-H2石墨烯制备机是由KJ-T1200开启式滑轨管式炉、真空系统、质量流量计气路系统、等离子电源系统组成。可适用于石墨烯生长等。
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KJ-T1200CVD是一种管式炉，配备60mm直径的高纯石英炉管、真空泵和四通道质量流量计+一个浮子流量计气体流动系统。它可以混合1-4种气体用于CVD或扩散。
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六通道高真空PECVD系统是一款由1200度管式炉，等离子射频电源，分子泵高真空，六通道气路等组成的等离子化学气相沉积系统，加热腔体采用氧化铝纤维制品，其极低的热导率和比热容，保证了炉膛的快速升温和低蓄热，特别适合于科研单位的材料工艺研究。该等离子化学沉积系统广泛应用于沉积高质量、SiO2薄膜、Si3N4薄膜、SiC薄膜、硬质薄膜、光学薄膜和炭纳米管(CNT)、石墨烯材料等。也可可应用于纳米材料生长，石墨烯生成、金属薄膜，陶瓷薄膜等，复合薄膜等各种薄膜等，可制备出高质量的透明导电膜,用作手机触摸屏
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该设备主要用于石墨稀、納米材料工艺涂层、多晶硅、碳化硅、扩散、氧化、退火等工艺。
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KJ-MZ1700-12LX带搅拌功能升降式炉主要应用于院校实验室、工矿企业实验室，供化学分析、物理测定以及金属、陶瓷等的烧结和溶解，小型钢件等加热、焙烧、热处理用。
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