设备介绍
此款CVD系统工作温度为300℃至1200℃，配备
真空泵，气体混合装置。采用了温度控制系统，高温精度，出色的气体流量精度，易于操作，有非常好的隔热效果和温度均匀性。 主要用于大学，研究中心和生产企业进行气相沉积相关的实验与生产。此款CVD高温管式炉适用于CVD工艺，如
碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容(MLCC)气氛烧结等实验。
产品优势
真空度自动控制
中低真空系统具有真空度上下限自动控制功能
耐冲击高真空系统
高真空系统采用高压强，耐冲击真空泵，防止意外漏气造成真空泵损坏，延长系统使用寿命
PID程控控制系统
控制电路选用模糊PID程控技术，该技术控温精度高，热惯性小，温度不过冲
技术参数
产品名称 低真空CVD系统
产品型号 KJ-T1200-S60-CVD
管式炉部分
炉体结构 双层壳体结构，配有冷风系统自动降温炉壳温度
炉膛材质 日本技术真空吸附成型的优质高纯
氧化铝多晶纤维固化炉膛，材料保温性能好、反射率高、温场均衡
最高温度 1200℃
连续工作温度 1100℃
升温速度 推荐≤10℃/min
炉管材料 高纯石英管
炉管尺寸 OD:60mm* ID:54mm * 长1200mm
(其他尺寸可根据客户需求定制)
仪器使用前必须放入管堵，防止热辐射
加热区长度 220+220+220mm
(其他尺寸可根据客户需求定制)
法兰 不锈钢密封法兰，拆卸方便，法兰上装有精密针阀
温控系统 温度控制系统采用人工智能调节技术，具有PID调节、自整定功能
1、采用PID方式调节控温，可设置30段升降温程序
2、控温精度±1ºC
3、具有过温保护、断偶保护
4、仪表具有温度自整定的功能
加热元件 含钼合金电阻丝
测温元件 N型热电偶
进出气口 法兰上含有真空连接口，进出气口
气路系统部分
质量流量计 四路精密质量流量计：数字显示、气体流量自动控制。
MFC1 范围: 0-500 sccm(量程可选)
MFC2 范围: 0-500 sccm(量程可选)
MFC3 范围: 0-500 sccm(量程可选)
MFC4 范围: 0-500 sccm(量程可选)
气路:4 路
流量精度: 0.2%
真空系统部分
真空泵 1.旋片泵抽速2L/S
2.极限真空度：7*10-2Torr
3.数显真空计，实时显示真空度，真空显示范围：1×105--1×10-1pa
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