设备介绍
KJ-CVD 是一种分体式管式炉，配备 60mm 直径的石英管、
真空泵和四通道质量流量计气体流动系统。 可混合1-6种气体进行CVD。款CVD生长系统适用于CVD工艺，如
碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容(MLCC)气氛烧结等实验。
产品优势
双层壳体上开启结构
双层壳体上开启结构，取放炉管方便，装有风冷系统,炉子外壳温度保持安全范围内
控温精度可达±1℃
控温系统采用PID方式调节，可以设置30段升降温程序，控温精度可以达到±1℃
刚玉材质炉管
炉管采用刚玉材质，工作温度可达1500度，具有高温稳定性和耐腐蚀性，加热均匀性好
技术参数
产品名称 1600 CVD 系统
产品型号 KJ-T1600 CVD
管式炉 显示 LED
炉体 分体式和上部可以打开
最高温度 1600℃
工作温度 ≤1500℃
升温速率 建议 0~10℃/min
温区 300mm(其他尺寸可根据客户需求定制)
加热元件 硅钼棒
热电偶 B 型
温度控制精度 ±1℃
炉管 80 x 1000mm (外径 x 长度)
(其他尺寸可根据客户需求定制)
温度控制 通过可控硅功率控制进行PID自动控制
加热曲线 30 步可编程
真空法兰 带阀门的不锈钢真空法兰
真空泵系统 旋片真空泵+扩散真空泵 真空泵组：极限真空10-6 Torr。
质量流量计 四个精密质量流量计：
底壳安装1个气体混合罐，底壳左侧安装6个不锈钢针阀，手动控制6种气体混合。
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