设备介绍
该设备由蒸发器、混合器和反应器组成。采用
氧化铝纤维耐火材料。设备技术成熟、质量可靠，温场均匀，结构合理，30段可编程温控系统，气路选用液晶屏触摸界面，使得操作异常简单、方便设置各项技术参数。该CVD高温炉广泛应用于半导体工业中，包括大范围的绝缘材料，以及大多数金属材料和金属合金材料等的镀膜，该CVD镀膜设备可在目标材料表面形成密集的HfCl4涂层.适用于各大高校材料实验室、科研院所、环保科学等领域。
产品优势
PID控温系统
控温系统采用PID方式调节，可以设置30段升降温程序，控温精度可以达到±1℃
触屏操作方式
气路选用液晶屏触摸界面，使得操作异常简单、方便设置各项技术参数
专利技术法兰
专利技术快接法兰，带阀门和相关接口，拆装方便，可抽真空充保护气体至微正压
技术参数
产品名称 CVD系统
产品型号 KJ-T1600-CVD
第一部分： 定制坩埚炉(蒸发系统)
使用温度 超过500℃
工作区尺寸 Φ150 x H320mm(不锈钢内胆的有效尺寸)
(其他尺寸可根据客户需求定制)
坩埚 不锈钢材质，形式及具体要求可定制
加热元件 电阻丝
升温速率 0-10°C/min
漏率 20Pa/min
第二部分：定制小管式炉(混气系统)
使用温度 超过500℃
工作区尺寸 Φ150 x H200mm(不锈钢内胆尺寸)
(其他尺寸可根据客户需求定制)
混气罐 不锈钢
加热元件 电阻丝
漏率 20Pa/min
第三部分 1600度管式炉(反应器)
最高温度 1600℃
长期工作温度 1500℃
炉管尺寸 OD100/ID90,加热区300mm
(其他尺寸可根据客户需求定制)
炉管材质 高纯氧化铝管
加热元件 硅钼棒
漏率 20Pa/min
真空度 抽真空度到-7*10-3Pa
压力范围不超过0.02MPa
更多参数可根据需求定制
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