设备介绍
该系统是一个特殊的双管CVD系统,是专门为在金属箔上生长薄膜而设计,特别是应用在新一代能源关于柔性金属箔电极方面的研究。炉底部装有滑轨，可通过滑动炉子可以实现物料的快速加热和冷却。该cvd高温炉广泛应用于半导体工业中沉积薄膜材料，包括大范围的绝缘材料，以及大多数金属材料和金属合金材料、二维材料等，如
碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容(MLCC)气氛烧结等实验。
产品优势
可快速加热和冷却
炉底部装有滑轨，可通过滑动炉子可以实现物料的快速加热和冷却
30段高精度可编程温控
控温系统采用PID方式调节，30段高精度数字可编程温度控制器
双温区独立控温
双温区独立控温，可以在加热区内形成温度梯度或较长的恒温区域
技术参数
产品名称 1200℃双管滑道式CVD系统
第一部分： 1200度滑道双管双温区管式炉
产品型号 1200度滑道管式炉
炉管尺寸：
双石英管
外管：OD 100 x ID 96 x 1400 mm
内管：OD 80 x ID 75 x 1800 mm
(其他尺寸可根据客户需求定制)
加热区 220+220mm(其他尺寸可根据客户需求定制)
加热元件 电阻丝
升温速率 0-10°C/min
热电偶 N型
第二部分： 水冷系统
法兰：
1.可选配水冷机
2.水冷，密封双管的真空法兰：允许反应气体通过两管之间(10mm间隙)发生反应，冷却气体直接通入内管.
第三部分 真空系统
真空系统
1. 防腐数显真空计
2.旋片泵,含挡板阀 KF25接口，波纹管和箱体
第四部分 混气系统
质量流量计
量程：
MFC 1: 0~10 sccm
MFC 2: 0~200 sccm
MFC 3: 0~10 slm
MFC 3: 0~10 slm
362 
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