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莱州莱硕试验仪器有限公司推出的MP—1C单盘按键变速抛光机，是一款专为金属材料表面处理设计的经济型磨抛设备，通过精准调速与简易操作，满足实验室及工业现场对试样快速制备的需求，适用于金相分析、失效研究及日常材料检测场景。
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莱州莱硕试验仪器有限公司推出的LZQ-80精密全自动金相试样切割机，是一款专为金属材料金相分析设计的智能化切割设备，集高精度定位、安全防护与自动化操作于一体，广泛应用于材料研发、质量检测及失效分析领域，可高效完成各类金属及非金属试样的精密切割。
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交换台激光切割机采用的切割原理是一种高性能的激光切割器，在切割的过程当中激光会发射出无数条高性能、高能量的激光射线，这些激光射线所产生的巨大能量，可以瞬间将切割的表面进行汽化，这样可以轻松地将非常硬的界面切除掉。目前这种工艺还属于一种切割工艺，没有任何的其他切割工艺可以超越它，而且这种切割工艺在切割的过程当中速度非常快，可以瞬间将非常厚的钢板轻松切割，而且切割的精度还非常准确。
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设备特点：高强度床身不易变形：采用板管焊接高强度床身高温退火去应力，确保长时间使用不变形。操作系统简单：全套采用伺服传动系统，确保精度更高、速度更快、运行更稳定、控制系统操作简单易学、兼容性更全面、加工更灵活高效。自动对焦适用于多种聚焦，焦距由机床控制系统控制，在切割过程中可以自动调整，焦点位置可实现不同厚度板材切割的效果。
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双卡盘经典结构稳定送管，双卡盘设计，以高性价比方案实现长重管稳定送管，灵活夹持实现较短尾料，管材利用率有待提升。精密气动自定心夹持，异性管轻松驾驭：自定心卡盘系统替代手动加持系统。自动适应管材直径，无需进行任何设置。高效切割圆管、方管、矩形管、U型管、槽钢、工字钢、特殊型材和开口型材。
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激光发生器：双成激光合成器件选用进口激光器(也可选配其他品牌)，优势切割厚板特别稳定，断面光滑，无毛刺，无掉渣。激光切割头：能自动识别调节距离，避免因板材不平或翘起造成的碰撞，参数自动调节。机床床身特点：床身采用整体焊接结构，经过二次振动时效处理后精加工而成，解决了因焊接及加工而产生的应力，从而提高了床身的稳定性。
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系统智能报警：设备全面异常报警，并通过控制中心推送到界面。提高发现设备异常，减少隐患，使设备异常排查效率成倍提高；使用材料：专业用于切割多种中薄金属板材，切割优质碳板，不锈钢板，铝合金板、镀锌板、电解板、硅钢、钛合金、镀铝锌班等多种金属材料。适用行业：厨房电器、钣金机箱机柜、机械设备、电器设备、灯饰五、广告标牌、汽车配件、粮食机械、工程机械、展示器材、电梯制造、各种金属制品、钣金切割等设备
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专业激光光学系统稳定可靠;高效稳定的编程和控制系统，简单易学人性化，兼容多种 CAD 图纸格式，智能排料节省成本，自动切割路径，匹配节省加工时间;产品能耗少，使用成本低;设备稳定性高，维护简单方便，维护成本低，无需模具，柔性加工，能满足各种异形工件加工要求;各种异形工件加工要求。
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箱式化学气相沉积系统采用炉体和智能控制一体化设计，整个炉体美观、大方。PID可编程序智能控温，移相触发，炉膛采用氧化铝多晶体纤维材料，双层炉壳间配有风冷循环系统，炉门底部升降，节能安全。化学气相沉积(CVD)是指化学气体或蒸汽在基质表面反应合成涂层或纳米材料的方法，是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积薄膜材料的技术，包括大范围的绝缘材料，以及大多数金属材料和金属合金材料、二维材料等，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容(MLCC)气氛烧结等实验。
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定制流化床CVD系统，由真空立式管式炉、供气系统、真空系统、真空测量系统组成。该系统以硅碳棒为加热元件，采用双层壳体结构和30段程序控温仪表，移相触发、可控硅控制，炉膛采用氧化铝多晶纤维材料，炉管两端用不锈钢法兰密封，不锈钢法兰上安装有气嘴、阀门和压力表，真空泵接口，具有温场均衡、表面温度低、升降温度速率快、节能等优点。该立式CVD管式炉广泛应用于半导体工业中沉积薄膜材料，包括大范围的绝缘材料，以及大多数金属材料和金属合金材料、二维材料等
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该系统是一个特殊的双管CVD系统,是专门为在金属箔上生长薄膜而设计,特别是应用在新一代能源关于柔性金属箔电极方面的研究。炉底部装有滑轨，可通过滑动炉子可以实现物料的快速加热和冷却。该cvd高温炉广泛应用于半导体工业中沉积薄膜材料，包括大范围的绝缘材料，以及大多数金属材料和金属合金材料、二维材料等，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容(MLCC)气氛烧结等实验。
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KJ-T1200-S60K-4C型四路高温真空CVD设备由KJ-T1200滑动式快速退火管式炉+真空系统+供气系统组成 ，最高温度可以达到1200度，极限真空可以达到10-3Pa，供气系统是流量调节可以是质子流量计，可以对多种气体进行准确的混气，然后导入到管式炉内部。快速退火炉炉管两端安装真空法兰，真空度用分子泵可以到10-5Torr，机械泵可到10-3Torr。炉底安装一对滑轨，可用手动滑动。加为取得最快加热，可以预先加热炉子到设定的温度，然后移动炉子到样品位置。为获得最快冷却，可在样品加热后移动炉子到另一端，是低成本快速热处理的理想炉子。
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该设备由蒸发器、混合器和反应器组成。采用氧化铝纤维耐火材料。设备技术成熟、质量可靠，温场均匀，结构合理，30段可编程温控系统，气路选用液晶屏触摸界面，使得操作异常简单、方便设置各项技术参数。该CVD高温炉广泛应用于半导体工业中，包括大范围的绝缘材料，以及大多数金属材料和金属合金材料等的镀膜，该CVD镀膜设备可在目标材料表面形成密集的HfCl4涂层.适用于各大高校材料实验室、科研院所、环保科学等领域。
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KJ-T1200 CVD是一种管式炉，配备100mm直径石英管、真空泵和五通道质量流量计气体流动系统。 它可以混合1-5种气体用于CVD或扩散。该CVD高温管式炉主要用于大学，科研机构和生产企业进行气相沉积相关的实验与生产。
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KJ-CVD 是一种分体式管式炉，配备 60mm 直径的石英管、真空泵和四通道质量流量计气体流动系统。 可混合1-6种气体进行CVD。款CVD生长系统适用于CVD工艺，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容(MLCC)气氛烧结等实验。
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该高温化学气相沉积系统的工作温度为300℃至1600℃，配备真空泵，气体混合装置。采用温度控制系统，高温精度，出色的气体流量精度，易于操作，出色的隔热效果和温度均匀性。 主要用于大学，科研机构和生产企业进行气相沉积相关的实验与生产。
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该设备是一款带有预热系统的滑动PECVD系统。该系统包含等离子射频电源，预热炉，滑动式管式炉，4通道质量流量供气系统和旋片泵组成。 PECVD系统是借助射频使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜，可用于生长纳米或CVD方法来制作各种薄膜。
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科佳高真空PECVD设备由管式炉、真空系统、气体供应系统、射频电源系统等组成。通过射频电源将石英真空室中的气体改变为离子状态，等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。该系统主要用于金属薄膜、陶瓷薄膜、复合薄膜、石墨烯等的生长。
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2026年01月23日 ~ 24日 
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