一种超临界二氧化碳脉冲可控生长二维半导体薄膜的方法，属于纳米
复合材料薄膜制备领域。本发明方法采用超临界二氧化碳作为输运介质，增加前驱体的浓度、降低生长温度、减少环境污染；通过脉冲控制区对前驱体流量精准调控，减少前驱体用量、降低制备成本；利用快速泄压形成晶种，益于二维半导体薄膜的生长、提高生长效率；选择不同的前驱体与合适载体可达到制备异质复合膜的目的；可解决CVD方法反应温度较高、薄膜质量不可控和ALD成膜效率低的问题。
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“超临界二氧化碳脉冲可控生长二维半导体薄膜的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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