权利要求
1.一种一维核壳结构纳米材料的制备方法,其特征在于,包括:
提供多孔模板,所述多孔模板具有纳米孔道;
在所述纳米孔道中沉积形成管状中空壳层,得到第一中间产物;
将核层材料通过热机械压铸填充在所述管状中空壳层内部,得到第二中间产物;
去除所述第二中间产物中的多孔模板,得到所述一维核壳结构纳米材料。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述热机械压铸包括:
将所述核层材料置于所述第一中间产物的一侧;
在0.4Tm~0.6Tm温度条件下,对所述核层材料施加200MPa~5000MPa的压力,使其填充在所述管状中空壳层内部,Tm为所述核层材料的熔点。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,满足以下条件的至少一种:
所述沉积包括化学气相沉积;
所述沉积的时间为10min~1200min;
所述多孔模板包括阳极氧化铝模板。
4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述去除所述第二中间产物中的多孔模板包括:
在50℃~80℃下,将所述第二中间产物浸泡于酸性溶液或碱性溶液中30min~90min。
5.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,满足以下条件的至少一种:
所述酸性溶液包括盐酸溶液、磷酸溶液、磷酸与铬酸混合溶液中的至少一种;
所述碱性溶液包括氢氧化钾溶液、氢氧化钠溶液中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,满足以下条件的至少一种:
所述管状中空壳层包括碳纳米管、二硫化钼中的至少一种;
所述核层材料包括金属材料、半导体材料或高分子材料中的至少一种。
7.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,满足以下条件的至少一种:
所述半导体材料包括GeSb2Te4、Ag2Se、Ag2Te中的至少一种;
所述金属材料包括Au、Ag、Au-Ag、Al、Cu、Zn、AuSi、AgAl、InBiSn、PtCuNiP中的至少一种;
所述高分子材料包括PVC、PET、PMMA中的至少一种。
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声明:
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