本发明公开了一种Cu/Si纳米多孔阵列
复合材料的制备方法。本发明用浸渍镀膜技术制备Cu/Si纳米多孔阵列复合
纳米材料的方法,可以对复合纳米体系中纳米颗粒尺寸、晶粒和形貌进行人为控制;该方法能将纳米Cu均匀地沉积在多孔硅上,并保持基底多孔硅原有的分布均匀、孔隙率高、呈柱状阵列的微米—纳米结构特点;该工艺具有仪器简单、操作方便的特点。
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“Cu/Si纳米多孔阵列复合材料的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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