一种基于聚酰亚胺基体纳米SiO2空心球
复合材料的制备方法，本发明涉及纳米SiO2空心球复合材料的制备方法。本发明要解决现有技术存在制备的聚酰亚胺介电常数高，介电常数在2.6～3.9，难以满足微电子行业对于基材要求的问题。方法：一、制备纳米SiO2空心球粉末；二、制备纳米SiO2空心球/聚酰胺酸胶液；三、成膜及热亚胺化；四、脱膜，即得到基于聚酰亚胺基体纳米SiO2空心球复合材料。本发明制备基于聚酰亚胺基体纳米SiO2空心球复合材料的介电常数低至2.1，可广泛适用于高速集成电路挠性覆
铜箔板基材中。本发明用于一种基于聚酰亚胺基体纳米SiO2空心球复合材料的制备。
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“基于聚酰亚胺基体纳米SiO2空心球复合材料的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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