815
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本发明涉及一种由钕铁硼回收废料烧结而成的钕铁硼磁体及其制备方法,属于稀土磁材料技术领域。钕铁硼磁体是通过回收废料与配制料形成的混合料通过烧结工艺制备而成,回收废料与配制料的质量百分比分别为2~50%与50~98%;回收废料为:RxMyBzFe(1-x-y-z)(x=29-32%,y=0-4%,z=0.9-1.1%),配制料为:RxMyBzFe(1-x-y-z)(x=29-35%,y=0-4%,z=0.9-1.1%),R均选自La、Ce、Pr、Nd、Gd、Ho、Dy中的一种或多种,M均为Co、Al、Cu、Nb、Zr、Ga中的一种或多种。本发明提高了回收废料的综合利用率和制备效率,降低了生产成本。
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本发明公开了一种含钇的钕铁硼永磁材料,其组成为:ReαYδGdβBξCuεNνFe100-α-β-δ-ξ-ε-ν,Re为Nd或者Nd与Pr、Ho、Tb、La、Ce、Dy中的至少一种元素或一种以上元素;N为添加元素,包括Al、Mn、Ti、Ni、Zn、Ga、Cr和Mo的一种或一种以上元素;α、β、δ、ε、ν、ξ为各元素的重量百分比含量;Fe为Fe和不可避免的杂质;其中,28≤α+β+δ≤33,1≤δ≤10,0.5<β≤5,1≤ξ≤1.2,0.03≤ε?≤0.25,0<ν?≤0.25。本发明通过Y和Gd的复合添加在保证磁体矫顽力的同时尽可能多的替代了价格昂贵的钕元素,降低制造成本。特别是Y和Gd的复合添加降低了磁体的密度改善了钕铁硼材料的加工性能。
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本发明公开了一种超低剩磁温度系数稀土永磁材料及其制备方法,所述稀土永磁材料的组份为LR,HR,Co,M,B和Fe;各组份重量百分比为:LR和HR总重量为:29~33%,Co:10~22%,M:0.75~2.5%,B:0.85~1.05%,余量为Fe;其中,LR选自Pr和Nd中的一种或两种,HR选自Dy,Tb和Ho中的任意两种,M选自Al,Cu,Ga,Zr,Nb,Ti,Si,Ge,Sn和Gd中的任意一种或几种。本发明制得超低剩磁温度系数的烧结钕铁硼永磁材料,降低剩磁温度系数至‑0.06%/℃左右,同时又保持高的内禀矫顽力,尤其是在温度稳定性方面有独特的优势,可以拓展烧结钕铁硼材料的应用领域。
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本发明属于陶瓷技术领域,具体涉及一种3D打印高强度ZTA陶瓷基片材料与制备工艺。该3D打印高强度ZTA陶瓷基片材料包括以下重量份数计算的组分:ZTA粉体100份、氧化锆粉体4‑35份、光固化树脂40‑60份、光引发剂0.05‑1.0份、分散剂10—20份、烧结助剂0.5‑5.0份、支撑材料0.1‑3份;所述ZTA粉体粒径为100nm‑5000nm,所述氧化锆粉体粒径为100nm‑1000nm;相应的制备工艺,包括陶瓷基体粉体混合、树脂混合液制备、ZTA陶瓷浆料预混、ZTA陶瓷浆料配置、ZTA陶瓷浆料打印和ZTA陶瓷坯体烧结。该组分的配置的陶瓷材料结构均匀,强度高;操作简单,打印后ZTA陶瓷致密性高,不易开裂。
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一种提高烧结钕铁硼磁体矫顽力的制造方法,在不改变烧结钕铁硼磁体原有组成配比基础上,通过改变磁体浇铸的速凝工艺的参数,进行二次气流磨,使磁体颗粒平均粒度≤2.5um,采用低温烧结控制在1020-1035℃烧结3.5-5.0小时后,在450-600℃进行4-6小时的时效处理,速凝浇铸和二次气流磨技术后磁体粉末粒度下降,表面活性增加,容易烧结致密,结合低温烧结既能保证磁体致密性,又能防止晶粒快速长大,提高磁体磁性能,矫顽力平均提高2-3kOe,使磁体性能价格比显著提高。
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本发明涉及碳化硅陶瓷技术领域,本发明提供了一种碳化硅陶瓷及其制备方法。该碳化硅陶瓷制备方法包括准备原料、生坯制备、反应烧结和二次烧结除硅步骤,本发明通过先进行反应烧结,提高了坯体中碳化硅的含量;然后通过将坯体埋入碳粉中进行二次烧结除硅,碳化硅中的硅蒸发,迁移到碳化硅外部碳中,从而使得碳化硅中的自由硅得以消除,最终获得高纯、一定气孔率的碳化硅陶瓷,此种工艺相比传统重结晶碳化硅制备工艺烧结温度要低很多,而且所制备出的碳化硅陶瓷孔隙率低,强度高,耐高温性能更好。
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本发明公开了一种加工边角料再生稀土永磁的制备方法,将预处理好的加工边角料,和一定比例的钕铁硼新料合金铸片,加入氢碎炉中进行混合除潮预加热,预加热会加速初始吸氢反应速率,混入的新料合金铸片会优先吸氢,其吸氢反应过程放热,会加速加工边角料吸氢反应,完成氢碎后低温快速脱氢,使得混合粗粉氢含量达到1000‑10000ppm,这利于气流磨磨粉效率的提升,以及获得更优异的粒度分布。气流磨后的细粉中,残留有较高的氢含量,会在后续的烧结过程中,会形成一个氢还原气氛,夺走加工边角料中带入的高氧,使得不需要过量添加稀土元素,来稀释加工边角料带入的高氧,可使得再生磁体可以获得更高的磁性能。
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本发明涉及一种混合动力汽车驱动电机专用磁钢及其制备方法。所述混合动力汽车驱动电机专用磁钢的成分表达式为:(RE)y-Mz-Fe100-y-zB0.95-1.05,其中25≤y≤32,2.5≤z≤5,RE由下列稀土元素组成:镨钕、镝和铽,其中镨钕的含量为22~24.5,镝的含量为2.5~6,铽的含量为0.5~1.5,镨钕、镝和铽含量之和范围为y的范围,即25~32,M由下列几种元素组成:Co、Al、Ga、Cu和Zr,其中Co的含量至少为2.0,其余四种元素含量之和为0.5~3.0,五种元素含量之和范围为Z的范围,即2.5~5.0。本发明通过对混合动力汽车驱动电机专用磁钢的成分进行设计及生产工艺进行改进,使产品的材料成本降低,综合性能提高,在性价比方面全面提升,提高了磁性能、抗退磁性。
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一种高性能钕铁硼永磁材料,其特征在于:该永磁材料由以下重量百分比的各个组分组成:PrNd 31‑35%,Gd0.5‑1%,Ga 0.05‑0.15%,Zr 0.05‑0.15%,B 0.8‑1.6%,Co 0.2‑0.5%,Al 0.1‑0.4%,Cu 0.05‑0.2%,Mo 0.05‑0.3%,Ti 0.05‑0.3%,LaCe 0.1‑0.5%,余量为Fe。本发明合理控制PrNd含量以及Nd的含量,同时通过添加稀土和Zr等元素,提高了磁体整体的最大磁能积,从而减小磁体的使用量,更加轻量化、价格成本低。
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一种金属螺杆及其制作方法,所述螺杆以含铬钼的合金钢棒作为螺杆芯棒(1),在螺杆芯棒(1)的外周通过烧结法包覆有一层多元硼化物基金属陶瓷层(2):所述多元硼化物基金属陶瓷层(2)为Mo2FeB2-Fe基金属陶瓷层或Mo2NiB2-Ni基金属陶瓷层或WCoB-Co基金属陶瓷层。其制作方法为:将螺杆芯棒放入包套中,并在螺杆芯棒和包套的间隙内部填充配比好的原料粉末;将包套整体放入密封容器中并抽真空;在密封容器烧结,再对多元硼化物基金属陶瓷层经精加工制得金属螺杆。本发明中多元硼化物基超硬双金属螺杆或金属螺杆具有综合成本较低、制作工艺简单、使用寿命长和适于产业化等优点,可替代目前广泛使用的经过渗氮、喷焊、浇铸等处理的螺杆。
1251
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本发明公开了一种内嵌耐磨层的电线缆结构,包括电线缆主体,电线缆主体的外侧套接有耐磨外套,耐磨外套的内侧设置有抗拉伸夹层,抗拉伸夹层的内部两端均设置有抗拉元件,抗拉伸夹层的内部套接有电磁隔离层,抗拉伸夹层的内侧套接有防潮层,防潮层的内侧套接有内嵌耐磨层,内嵌耐磨层的内侧套接有若干隔离内衬套,隔离内衬套的内侧中央设置有五角分隔套。本发明加强了对电线缆的外部进行保护,为双耐磨层结构,使电缆线内部的各个性能得到提升,避免了在运输移动的过程中受到磨损,通过设置的防潮层以及电磁隔离层加强了电线缆对防潮以及抗干扰的能力,该线缆采用分段式结构,提升了电线缆的抗拉伸能力,防止在运输过程中内部受到破坏。
1257
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本发明涉及一种温度稳定性良好的钕铁硼磁性材料,其由主相合金与辅相合金混合配置而成;所述主相合金由下列原料按重量百分比配置而成:铁64.5~68.5%、硼1.0~1.2%、钕30.2~34.3%、钆0.05~0.4%、铝0.1~0.4%;辅相合金由下列原料按重量百分比配备而成:铁50.8~54.2%、硼0.8~1.2%、钕18.9~21.1%、锆12.8~16.3%、钐8.9~11.1%、铜0.8~1.2%;采用上述技术方案制成的钕铁硼磁性材料,其可具有较好的温度稳定性。
本发明公开了一种基于长余辉微米颗粒的多晶硅平板型荧光太阳集光器的制备方法及其应用,特点是其制备方法包括铬离子与铽离子共掺杂锌铝锗酸盐发光中心材料制备的步骤:将发光中心粉末与硫醇烯共聚物复合得到多晶硅平板型荧光太阳集光器的步骤,在多晶硅平板型荧光太阳集光器的四周粘贴带导电金属PCB板的多晶硅太阳能电池板、其上表面设置顶部减反层且其下表面设置底部金属反射层得到光伏发电装置;优点是光电转换效率高且发光寿命长,且应用到光伏发电装置中可有效减少入射光子表面反射损耗、平板型光波导内传输损耗,从而显著提高在弱光照条件下的光学收集效率以及光电转换效率。
1073
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本发明公开了一种超高矫顽力烧结钕铁硼磁体及其制备方法,它包括主相和晶界添加相,所述的主相包括低HA主合金和高HA主合金。本发明采用高磁晶各向异性场HA和低HA两种主合金作为主相在烧结及热处理过程中使重稀土元素从高HA相向低HA相扩散实现矫顽力的初步提高;同时可控制合金成分及制备工艺,提高磁体中Nd2Fe14B相的含量,保证磁体具有高的磁能积。而晶界添加相能够进一步实现晶粒表面磁硬化提高矫顽力,并优化显微结构,进一步提高矫顽力。本方法兼具传统双合金法及单合金晶界添加法的优点,提供一种操作简单,适用于大批量生产超高矫顽力高剩磁烧结钕铁硼磁体的方法。
1114
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本发明提供了一种宽禁带半导体器件及其制作方法,属于半导体制备技术领域。它解决了现有宽禁带半导体器件中易受热膨胀影响的问题。本宽禁带半导体器件包括使用宽禁带半导体材料为衬底的芯片和使用宽禁带半导体材料制成的底座,并在所述的底座上设有放置芯片的凹槽结构。本发明还提供了一种制作本宽禁带半导体器件的方法。本发明的宽禁带半导体器件的芯片衬底和底座均采用宽禁带半导体材料制成,能够达到快速散热的目的;同时由于热膨胀系数和散热系数基本相同,因此不需要在底部或者附属配件上增加调整热膨胀系数的各种材料,极大的简化了宽禁带半导体器件结构,减小了热膨胀的影响,提高了稳定性。
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本发明公开了一种碳纤维增强的铜基复合材料的制备方法,包括如下的步骤:步骤一、称取配料进行球磨混合,混合时间为3小时;得到混合料;所述碳纤维表面包覆有镍层;所述石墨粉粒径为50um,并且所述的石墨粉经过化学镀技术处理表面镀有铜层;步骤二、将所述步骤一制备的混合料在700Mpa的压力下压制;得到毛坯;步骤三、将所述步骤二制备的毛坯进行二期烧结,得到烧结后的合金块;步骤四、将所述步骤三处理后的合金块进行热处理;得到本发明所述的碳纤维增强的铜基复合材料。本发明制备的铜基复合材料不仅具有优良的自润滑性能,而且耐磨性能和力学性能特别优秀。
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本发明公开了一种快速热脱烧结一体成型金属喂料及其应用方法,所述喂料包括合金粉末和粘结剂组合;按质量百分比计,所述合金粉末占所述喂料质量为88%~91%,所述粘结剂组合占所述喂料质量为9%~12%;按质量百分比计,所述粘结剂组合包括:聚乙烯26.5%~36%、聚甲基丙烯酸甲酯6%~8.5%、丙烯酸单体塑脂17%~22%、硅烷偶联剂5%~7%、季戊四醇硬脂酸酯2%~7%、聚乙烯蜡15%~20%、液体石蜡9.5%~15%、抗氧剂1%。本发明喂料注射成型的产品不需要进行催化脱脂工艺环节,省去了大量的设备投入和人工投入,在成本的控制上起到了很大的作用,并在产品的机械性能和表面性能上超越了常规工艺。
1052
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本发明提供一种碳化硼‑铝合金复合板的制备方法,先制备出大厚度碳化硼陶瓷板,之后将陶瓷板与铝合金直接浇注,使铝合金在三维空间上对碳化硼陶瓷进行约束和固结,形成铝包裹碳化硼的一体结构材料。陶瓷板上均匀分布的止裂孔也有利于浇筑过程中液态铝的流动和贯通,使铝合金与碳化硼陶瓷的结合更加牢固。
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本申请提供了一种反应器的时序控制方法、系统、装置及设备,涉及化学反应控制技术领域。该方法通过获取每个反应器中丙烷脱氢反应所处的第一反应步骤的计时时长;若第一反应步骤的计时时长,达到第一反应步骤的预设时长,则控制多个阀门从第一反应步骤的阀门状态切换至第二反应步骤的阀门状态。从而时序控制了每个反应器中各个步骤进行,也可以控制多个反应器时序反应,保持时序控制系统的平稳产出;并通过逻辑控制程序使得反应器的时序控制系统模块化,方便调试,复用性强。
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本发明涉及一种短流程Ce‑Fe基烧结永磁体及其制备方法,属于稀土永磁材料技术领域。该磁体化学式通式按质量百分比为:[Ce1‑x‑y‑z(Nd,Pr)xReyLaz]aFe100%‑a‑b‑cBbTMc,其中:0.15≤x≤0.25,0.05≤y≤0.15,0.0≤z≤0.05;31%≤a≤33%,1.0%≤b≤1.2%,0.5%≤c≤2.0%;Re为Gd,Ho,Y中的一种或者几种;TM为Co,Al,Cu,Nb,Zr中的一种或者几种。本发明磁体中Ce在各稀土元素中所占的权重最大,不含重稀土元素Dy和Tb。本发明可采用单合金烧结工艺,也可以采用双主相或多主相烧结工艺制备。本发明采用超低温烧结技术,烧结温度在930℃~980℃,且无需回火处理,大幅度简化生产工艺流程,节约制造时间和节约能源。
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本发明涉及一种耐腐蚀高强度汽摩配件用铝合金型材,其按质量百分比包括如下组分:Mg:0.7%~1.4%,Si:0.4~1%,Cu:0.3%~0.5%,Zn:0.1%~0.15%,Mn:0.45%~1.0%,Cr:0.1%~0.3%,Ti:0.1%~0.15%,Ce:0.02%~0.05%,La:0.01%~0.03%,Se:0.1%~0.3%,Re:0.01%~0.1%,AL:余量,公开了一种制备该铝合金型材并增加其强度的方法。
本发明涉及钐钴永磁材料领域,公开了一种不含重稀土元素的低矫顽力温度系数高温用钐钴永磁材料及制备方法,钐钴永磁材料的表达式为:Sm(Co1‑x‑y‑vFexCuyZrv)z,其中x=0.08~0.13,y=0.1~0.18,v=0.03~0.04,z=6.30~6.89;z为过渡族元素Co、Fe、Cu、Zr与稀土元素Sm的原子比。本发明通过优化钐钴永磁的合金配比及优化制备工艺(尤其是烧结及时效工艺),最终制备出具有低矫顽力温度系数和高温磁性能稳定性,且使用温度高达500℃的钐钴永磁材料,可满足高温高精度的使用要求,弥补了市场空白。
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一种降低烧结钕铁硼磁偏角的永磁体制备方法,包括配料—熔炼—制粉—成型—烧结,在制粉过程中添加提高粉料流动性添加剂,在成型过程中提高磁场强度H,减少模具取向长度L,增大垂直磁力线方向的截面积A,将混合物的粉料放入压机成型模具内,调节模具支架上的成型模具处在线圈磁极的中心位,使压制粉料在成型取向压制过程中处于线圈磁场的中心位置,通过调整四个相关参数的综合效果,制备的烧结钕铁硼磁性材料的磁偏角由10度下降到3度,磁偏角合格材料的利用率由35%提高到60%以上,大幅度降低生产成本,提高了经济效益。
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本发明公开了一种具有石榴石结构的新型透明闪烁陶瓷及其制备方法。本发明的闪烁透明陶瓷,具有石榴石结构,通式为Rex:(A1-yBy)m-x(C1-zDz)8-mO12,其中,Re、A、B、C、D、x、y、z及m的定义如说明书和权利要求书所述。本发明的闪烁透明陶瓷的制备方法,包括配料、干燥、灼烧、研磨、成型、烧结及冷却步骤。本发明的闪烁透明陶瓷,具有高光学性能、快衰减、高密度,成本低廉,能够应用于现代核医学诊断设备。
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本发明公开了一种低磁偏角圆片磁钢的制备方法,其特征在于:采用压制方向与磁场取向方向平行的成型压机压制,毛坯料规格取向方向按一出一设计,一次近终成型。本发明的制备方法由于坯料磁化取向方向短,磁场均匀性高,可以降低成型磁场和加工工艺对磁钢磁偏角的影响,磁偏角合格率高;同时由于粉料填充高度小,粉料填充均匀性好,生坯压制应力小,可以省却等静压二次压制过程直接进炉烧结;烧结后毛坯料变形小,外径尺寸控制精度高,无须套孔、外圆磨和切片工序,加工损耗少,加工效率高,材料利用率可达到90%,2°磁偏角合格率达到99.99%以上,可实现磁偏角免检,对缩短产品生产周期,降低综合生产成本有重要作用。
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本申请公开了一种用于制造柔轮的高熵合金及柔轮的加工方法,属于谐波减速器的制造技术领域。所述高熵合金为具有FCC型单相固溶体结构的FeCoCrNiMo0.2C0.1高熵合金。所述柔轮的加工方法为:熔炼FeCoCrNiMo0.2C0.1高熵合金、制备高熵合金粉末、压制成形、烧结、热锻、高温退火、深冷处理、机加工成形和喷丸强化。本申请制备的柔轮平均晶粒尺寸为3~4μm,抗拉强度超过1200MPa,屈服强度超过900MPa,伸长率超过30%,强塑积超过36000MPa%,具有更高的力学性能和传动性能,从而提高谐波减速器使用寿命。
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本发明公开了一种铜基石墨烯复合材料及其制备方法,该复合材料的质量百分组成为:石墨烯:0.01~0.5wt%,余量为铜和不可避免的杂质。该复合材料中石墨烯呈片状分散在铜基体中,每片石墨烯的层数为1~5,石墨烯的拉曼光谱特征峰中包括D峰和G峰,ID/IG的比值为0.01~0.2。本发明制备方法采用二维片状铜片诱导石墨烯有序分布,并结合高温还原和碳掺杂修复的手段,控制铜基体中石墨烯的分布和修复石墨烯晶体结构,获得了导电率≥102%IACS,屈服强度≥250MPa,抗拉强度≥300MPa以及延伸率:20~30%,满足技术领域对高导电、高强度的性能要求。
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本发明涉及具有周期性孔道结构的氧化锆陶瓷种植体及制备方法。该氧化锆陶瓷种植体包括上半部和下半部,上半部的原料包括氧化锆、氧化铝、三氧化二钇、二氧化硅、二氧化钛、聚乙基丙烯酰、三羟甲基丙烷三丙烯酸、二羟甲基丙酸、环氧树脂;下半部分的原料包括氧化锆、氧化铝、二氧化硅、二氧化钛、羟基磷灰石、硅酸钠、聚乙基丙烯酰、三羟甲基丙烷三丙烯酸、二羟甲基丙酸、环氧树脂。制备方法包括陶瓷基体粉体的混合、助剂预混、上半部原料配制、下半部原料配制、种植体下半部打印、种植体上半部打印和陶瓷种植体烧结。该氧化锆陶瓷种植体为上半部分实心、下半部分中空伴有周期性网孔结构,与骨结合强度高,咬合端强度高,抗剪切能力高。
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本发明公开了一种细晶粒高矫顽力钕铁硼永磁材料及其制备方法。该细晶粒高矫顽力钕铁硼永磁材料的晶粒尺寸为2~5.5μm,含有Zr、Ti、Nb中的一种或几种。Zr、Ti、Nb先和LRE形成辅合金,然后主合金与辅合金混合进行氢破碎、气流磨制粉以及烧结处理,得到细晶粒高矫顽力钕铁硼永磁材料。
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一种粉末冶金缸体的制造方法,步骤:将铁、铬、钼、锰、镍、碳及铜按质量百分比混合成混合粉;将上述混合粉在压机上压制成密度为6.2~7.2g/cm3的支座生坯;在温度1000℃~1350℃中进行烧结,烧结的时间为5~180分钟,在非氧化性气氛中进行退火;通过挤压成型机或精整压机改装的压机上进行挤压,挤压变形量在直径方向上大于等于2%;根据尺寸要求选择性加工,蒸汽处理。本发明的优点在于:制作工艺简单,精度高、表面光洁度好,有效消除了锻造过程中由于在高温下进行而使模具易产生龟裂的难题,从而降低了生产成本,提高了生产效率。与传统粉末冶金工艺相比,产品的密度更高,基本实现表面致密化。
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