本发明涉及
碳化硅陶瓷技术领域，本发明提供了一种碳化硅陶瓷及其制备方法。该碳化硅陶瓷制备方法包括准备原料、生坯制备、反应烧结和二次烧结除硅步骤，本发明通过先进行反应烧结，提高了坯体中碳化硅的含量；然后通过将坯体埋入碳粉中进行二次烧结除硅，碳化硅中的硅蒸发，迁移到碳化硅外部碳中，从而使得碳化硅中的自由硅得以消除，最终获得高纯、一定气孔率的碳化硅陶瓷，此种工艺相比传统重结晶碳化硅制备工艺烧结温度要低很多，而且所制备出的碳化硅陶瓷孔隙率低，强度高，耐高温性能更好。
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“碳化硅陶瓷及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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