本实用新型涉及废水处理领域，更涉及集成电路行业的磨划废水处理系统。
背景技术：
随着电子、半导体工业技术的发展，
芯片封装排放的磨划片废水水量日益增加。磨划废水含有较高浓度的细微颗粒悬浮物和高分子物质胶体等物质，极难分离，是废水处理中的一个难点。
技术实现要素：
本实用新型目的在于提供集成电路行业的磨划废水处理系统，实现磨划小颗粒、胶体从水体中的分离，达到可排放标准，减少废水污染，为了达到上述目的，采用以下技术方案：包括有：调节池、凝聚池、调整池、助凝池、沉淀池、集水池以及滤砂器，调节池经过管道与凝聚池连接，所述凝聚池与调整池之间顶部溢流相通，所述调整池与助凝池之间底部相通，所述凝聚池、调整池、助凝池分别通过管道与PAC、NaOH、PAM和专用药剂池连接；助凝池通过管道与沉淀池连接，所述沉淀池内部设置有刮泥机，沉淀池上部溢流口通过管道接集水池，沉淀池底部通过管道接污泥浓缩池；所述集水池内部被溢流板分为搅拌池和集液池，搅拌池通过管道连接H2SO4药剂池，搅拌池内部设置搅拌器，集液池通过管道与砂滤器连接。
优选的，所述调节池为封闭结构，调节池侧面为独立的、密封的事故池，调节池和事故池内部都设置有穿孔曝气管和液位计，调节池、事故池通过各自的分支管道并入到主管道，利用主管道接入调整池，各自的分支管道上都设置有提升泵，主管道上还设置有流量计。
优选的，调整池内部设置有pH控制仪和搅拌器，凝聚池和助凝池内部都设置有搅拌器，提高化学反应效率。
优选的，所述搅拌池内设置有pH控制仪，搅拌池与集液池之间顶部溢流，所述集液池内部设置有液位计、穿孔曝气管，所述集液池内部置入多个分流管，分流管经提升泵汇总到主流管，经主流管进行再次分流分配给多个并列的砂滤器。
优选的，砂滤器的气洗口与压缩空气设备连接、反洗进水口与反洗水泵连接、反洗出水口与调节池Ⅱ连接、排污口通过管道接至综合废水调节池。
本实用新型有益效果：反应本实用新型中，对磨划片废水经过酸碱中和、投加专用药剂混凝、絮凝反应，并通过沉淀池进行固液分离，分离后的水体进一步进行pH调节并利用砂滤器进行悬浮物的过滤吸附，本专利申请结合了物理、化学去除杂质、颗粒物、胶体及中和酸碱，使排出的水体达到可排放标准，并对排出的污泥、废水进行进一步的再处理，减少浪费以及实现环保的目的。
附图说明
下面将参照图，对本实用新型作进一步详细的说明。构成本申请的一部分的附图用来提供对本实用新型的进一步理解，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中：
图1是本专利申请的结构示意图；
图2为本专利申请的流程图；
图中，1、调节池；2、液位计；3、提升泵；4、流量计；5、穿孔曝气管；6、事故池；7、凝聚池；8、调整池；9、助凝池；10、搅拌器；11、pH控制仪；12、沉淀池；13、刮泥机；14、集液池；15、搅拌池；16、砂滤器。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型的实施例进行详细说明。
由图1、2所示，本实用新型目的在于提供集成电路行业的磨划废水处理系统，包括有：调节池、凝聚池、调整池、助凝池、沉淀池、集水池以及滤砂器，所述调节池为封闭结构，调节池内部向外引出有至少两个分支管道汇总到主管道上，利用该主管道与凝聚池连接，实现调节池向凝聚池的水体输送，由于生产工艺中排水具有间断性和随机性，调节池的设立主要是具有一定的水质水量调节作用，稳定后续处理的处理负荷，提高其效率，所以分支管道上分别接提升泵，水泵的开关根据调节池内部的液位计控制；所述调节池内部还设置有穿孔管曝气搅拌系统，曝气强度为2m3/m2.h，主管道上设置有流量计，根据流量计进行水量的监测显示。
所述调节池旁边为独立的、密封的事故池，系统发生事故时应急使用，与调节池在高水位连通，事故结束后用泵提升进入系统处理，事故池内部设置有穿孔曝气管、液位计，事故池内部向外引出有分支管道，经过提升泵汇总到主管道上（调节池引出的分支管道汇总的主管道），利用主管道实现调节池、事故池的废水输送。
磨划片废水被提升泵从调节池输送至凝聚池，凝聚池通过管道与PAC药剂池连接，利用PAC进行颗粒物的凝聚、沉淀；与之间顶部溢流相通，经凝聚沉淀的水体顶部溢流进入到调整池，调整池通过管道与NAOH药剂池连接，进行pH的调节，调整池内部还设置有pH控制仪，能够对调整池内部的pH值进行实时监控，从而控制加药量并保证调整池内部pH值稳定在9.5；调整池与之间底部相通，助凝池分别通过管道与PAM药剂池连接，利用PAM药剂使沉淀物形成大的矾花。
为了保证化学反应的充分，分别在凝聚池、调整池、助凝池内部设置搅拌器。
助凝池通过管道与沉淀池的中心管连接，将含有固体杂质的水体输送至中心管内，水体可以向中心管周边扩散，但是淤泥被管壁阻挡并由于自身重力的原因淤泥顺着中心管向沉淀池底部下降，进行固液分离，沉淀池上部溢流口通过管道接集水池，沉淀池内部还设置有半桥式周边传动刮泥机，刮泥机运动时带动刮泥板运动，实现定期向外排泥，污泥顺着沉淀池底部的管道进入到污泥浓缩池。
沉淀池上部溢流口通过管道接集水池，沉淀池底部通过管道接污泥浓缩池；所述集水池内部被溢流板分为搅拌池和集液池，搅拌池通过管道连接H2SO4药剂池，通过H2SO4药剂进行pH调节，搅拌池内部设置搅拌器，使反应更均匀；集液池与搅拌池之间顶部溢流连接，集液池内部设置有pH控制仪、穿孔曝气管，曝气强度为2m3/m2.h，所述集液池内部置入多个分流管，分流管经提升泵汇总到主流管，经主流管进行再次分流分配给多个并列的砂滤器。
砂滤器为深度处理的主体设备，用于对出水进一步处理，保证废水长期稳定达标排放，通过砂滤层过滤吸附，进一步去除有机物和悬浮物，砂滤器反冲洗采用气水反洗，砂滤器的气洗口与压缩空气连接、反洗进水口与反洗水泵连接、反洗出水口与调节池连接、排污口通过管道与综合废水调节池连接。
本专利申请还设置有工控机，所述工控机与液位计、pH控制仪连接，用于感知调节池、事故池、集水池的高度，和调整池、集水池内的pH值；所述工控机还与提升泵、水阀连接，控制水体输送；工控机与加药单元连接，控制向凝聚池、调整池、助凝池、搅拌池内分别加入PAC、NAOH、PAM药剂、H2SO4药剂；所述工控机还与搅拌器连接，保证药剂的化学反应更充分；所述工控机还与刮泥板连接，防止长时间后有淤泥堆积。
以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型；对于本领域的技术人员来说，本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
技术特征：
1.集成电路行业的磨划废水处理系统，包括有：调节池、凝聚池、调整池、助凝池、沉淀池、集水池以及滤砂器，调节池经过管道与凝聚池连接，所述凝聚池与调整池之间顶部溢流相通，所述调整池与助凝池之间底部相通，所述凝聚池、调整池、助凝池分别通过管道与PAC、NAOH、PAM药剂池连接；助凝池通过管道与沉淀池连接，所述沉淀池内部设置有刮泥机，沉淀池上部溢流口通过管道接集水池，沉淀池底部通过管道接污泥浓缩池；所述集水池内部被溢流板分为搅拌池和集液池，搅拌池通过管道连接H2SO4药剂池，搅拌池内部设置搅拌器，集液池通过管道与砂滤器连接。
2.根据权利要求1所述的集成电路行业的磨划废水处理系统，其特征在于：所述调节池为封闭结构，调节池侧面为独立的、密封的事故池，调节池和事故池内部都设置有穿孔曝气管和液位计，调节池、事故池通过各自的分支管道并入到主管道，利用主管道接入调整池，各自的分支管道上都设置有提升泵，主管道上还设置有流量计。
3.根据权利要求1所述的集成电路行业的磨划废水处理系统，其特征在于：调整池内部设置有PH控制仪和搅拌器，凝聚池和助凝池内部都设置有搅拌器，提高物理与化学反应效率。
4.根据权利要求1所述的集成电路行业的磨划废水处理系统，其特征在于：所述搅拌池内设置有PH控制仪，搅拌池与集液池之间顶部溢流，所述集液池内部设置有液位计、穿孔曝气管，所述集液池内部置入多个分流管，分流管经提升泵汇总到主流管，经主流管进行再次分流分配给多个并列的砂滤器。
5.根据权利要求1所述的集成电路行业的磨划废水处理系统，其特征在于：砂滤器的气洗口与压缩空气设备连接、反洗进水口与反洗水泵连接、反洗出水口与调节池Ⅱ连接、排污口通过管道接至综合废水调节池。
技术总结
集成电路行业的磨划废水处理系统，调节池经过管道与凝聚池连接，所述凝聚池与调整池之间顶部溢流相通，调整池与助凝池之间底部相通，凝聚池、调整池、助凝池分别通过管道与PAC、NAOH、PAM药剂池连接，进行酸碱平衡、凝结沉淀物；助凝池通过管道与沉淀池连接，进行固液分离，沉淀池上部溢流口通过管道接集水池，沉淀池底部通过管道接污泥浓缩池；集水池内部被溢流板分为搅拌池和集液池，搅拌池通过管道连接H2SO4药剂池，进一步进行酸碱调整，集液池通过管道与砂滤器连接，本专利申请结合了物理、化学去除杂质、颗粒物、胶体及中和酸碱，使排出的水体达到可排放标准，并对排出的污泥、废水进行进一步的再处理，减少浪费以及实现环保的目的。
技术研发人员：林超
受保护的技术使用者：伟泰科技（无
锡）有限公司
文档号码：201720811914
技术研发日：2017.07.06
技术公布日：2018.02.23
声明：
“集成电路行业的磨划废水处理系统的制作方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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编辑：北方有色网
来源：伟泰科技（无锡）有限公司
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