本发明公开了一种氧化亚硅/金属复合薄膜负极的制备方法，(1)将歧化后的氧化亚硅粉体压制成靶材；(2)采用磁控溅射法在
铜箔表面制备一层氧化亚硅薄膜；(3)采用磁控溅射法在氧化亚硅薄膜表面制备一层金属颗粒；(4)依次重复步骤(2)和步骤(3)n次。本发明还公开了一种采用上述方法制备得到的氧化亚硅/金属复合薄膜负极。本发明首次提出采用歧化后的氧化亚硅粉体制成靶材并利用磁控溅射法制备歧化后的氧化亚硅薄膜负极，该方法的氧化亚硅薄膜负极结构可通过薄膜结构缓解其储
锂体积膨胀效应，并利用金属颗粒提升氧化亚硅薄膜负极的导电性，从而提升其倍率性能。本发明中的负极结构具备优异的倍率特性、循环稳定性以及高的比容量。
声明：
“氧化亚硅/金属复合薄膜负极及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
966
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
