本发明公开了一种SnO2纳米线阵列的制备方法，包括以ITO玻璃为衬底，采用水热法进行SnO2纳米线阵列生长，所述的SnO2纳米线阵列中SnO2纳米线的长径比为4～12，所述的SnO2纳米线阵列中SnO2纳米线的直径为50～100nm，SnO2纳米线的长度为400～600nm。本发明所得的SnO2纳米线阵列结构是由
金红石结构的SnO2单晶纳米棒构成，从微观结构上看，SnO2纳米线阵列排列致密，均一性好，可以用作场发射、光催化、气敏传感器和
锂离子电池
负极材料。
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来源：北方有色网
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