本发明所提供的一种有序介孔
硅碳负极的制备方法，包含有序介孔硅材料和该介孔硅材料的孔道内的碳涂层，并且该孔道的孔径为2‑10nm；其中，采用不同的表面活性剂分子合成不同孔径的SiO2；在650℃的氮气氛围下，用MgO做缓和剂，Mg热还原后盐酸刻蚀得到介孔硅材料；酚类碳源脱水负载于孔道，再经高温碳化形成碳负载的介孔硅材料。本发明中，有序的介孔结构可以为硅的体积膨胀提供了缓冲空间；孔道内碳层提高了硅与
锂之间的电荷传递反应，因而可以提高整体材料的导电性。
声明：
“有序介孔硅碳负极的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1173
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
