本发明所提供的一种有序介孔
硅碳负极的制备方法，包含有序介孔硅材料和该介孔硅材料的孔道内的碳涂层，并且该孔道的孔径为2‑10nm；其中，采用不同的表面活性剂分子合成不同孔径的SiO2；在650℃的氮气氛围下，用MgO做缓和剂，Mg热还原后盐酸刻蚀得到介孔硅材料；酚类碳源脱水负载于孔道，再经高温碳化形成碳负载的介孔硅材料。本发明中，有序的介孔结构可以为硅的体积膨胀提供了缓冲空间；孔道内碳层提高了硅与
锂之间的电荷传递反应，因而可以提高整体材料的导电性。
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来源：北方有色网
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