本发明公开了一种二烷基一氯
硅烷的合成方法，该方法步骤：将还原剂A加入到盛有溶剂B且装有冷凝回流装置的容器内，A与B的质量比为1 : 10～1 : 90，搅拌10～20分钟；在16～20分钟范围内加入同还原剂A等摩尔量的原料C，在温度55℃～90℃下进行反应，搅拌反应时间为2～3小时；原料C结构式为(Rf)2SiCl2，其中Rf为甲基、乙基、丙基或丁基；将反应温度升高到120-130℃，搅拌40-60分钟后停止反应，将反应后混合物经过过滤、蒸馏即可；溶剂B为甲基吡咯烷酮、乙基吡咯烷酮、N, N-二甲基咪唑烷酮中一种或几种，还原剂A为氢化
铝/氯化铝、氢化铝
锂/氯化铝、氢化钠/氯化铝或氢化铝/氢化铝锂中一种或几种，本方法反应工艺和后处理简捷，合成产率较高，原料成本较低。
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“二烷基一氯硅烷的合成方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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