本发明提供一种具有高充放电容量的锗酸
锰纳米片的制备方法及其应用。该具有高充放电容量的锗酸锰纳米片的制备方法，包括如下步骤：1)将Mn(Ac)2水溶液逐滴加入含有NN‑二异丙基碳二亚胺的GeO2水溶液中，混合搅拌均匀，得混合液；2)将清洗干净的泡沫
铜放入到步骤1)中所述混合液中，然后转入到反应釜中，在恒温下保温若干小时后，待反应完成结束后即可得到生长在泡沫铜上的锗酸锰纳米片。本发明制备的锗酸锰纳米片的厚度为10nm左右，且该锗酸锰纳米片作为
锂离子电池的
负极材料使用，在30mAg‑1的电流密度下，锗酸锰纳米片电极的首次充放电容量分别为2016mAhg‑1和2651mAhg‑1以上。
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“具有高充放电容量的锗酸锰纳米片的制备方法及其应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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