本发明为一种Zr‑Si‑C陶瓷先驱体的常温常压合成方法，包括以下步骤：(1)在惰性气氛保护下，将二甲基二茂锆溶于有机溶剂中，搅拌并加入有机
锂化合物、配体化合物，干燥得到活性二茂锆锂盐；(2)在惰性气体气氛保护下，用有机溶剂溶解活性二茂锆锂盐，搅拌并加入卤代
硅烷单体，发生聚合反应，滴加终止剂终止反应，经过滤、浓缩、纯化、干燥，即得到Zr‑Si‑C陶瓷先驱体。本发明方法无需高温、低温、高压、通电等条件，在常温常压下即可进行反应，采用活性高的二甲基二茂锆、较便宜且较安全的正丁基锂与卤硅烷单体反应，通过两步法制备Zr‑Si‑C陶瓷先驱体，方法简便、科学合理。采用本方法合成的Zr‑Si‑C陶瓷先驱体多种多样，可用于制备种类繁多的Zr‑Si‑C陶瓷。
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来源：北方有色网
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