提供了一种用于减轻DC偏压漂移的铌酸
锂调制器结构(30),其包括图形化在具有一个或多个DC部分(38,40)和RF部分(42)的光波导(34)上的重掺杂半导体层(44,54),其中金属层或触点(50)与半导体层(44,54)的一部分相接触并且在RF部分(42)中淀积缓冲层(46)。还提供了一种用于制作具有上述结构的铌酸锂光电调制器的方法。
声明：
“具有基于掺杂半导体金属接触的偏压电极的用于减轻DC偏压漂移的光电调制器” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
865
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
