本发明公开了一种原子层沉积（Atomic Layer Deposition，ALD）修饰的
锂离子电池及其制备方法，本发明公开的原子层沉积修饰的锂离子电池正、负极活性物质材料至少择一表面形成有修饰层，所述修饰层采用原子层沉积工艺形成；或者正、负极极片至少择一表面形成有修饰层，所述修饰层采用原子层沉积工艺形成。
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“原子层沉积修饰的锂离子电池及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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