本实用新型涉及一种铌酸
锂调制器的
芯片布局结构，包括芯片，所述芯片包括基板、形成在基板上的行波电极和光波导结构，所述光波导结构采用折叠的铌酸锂薄膜，所述基板上设置有用于数据传输的高速接口、DC接口、光输入接口和光输出接口，其特征在于：所述基板呈多边形并且包括第一侧边、第二侧边、第三侧边和第四侧边，所述高速接口设置在基板的第一侧边上，所述DC接口设置在基板的第二侧边和/或第四侧边上，所述光输入接口和光输出接口则设置在基板的第三侧边上。与现有技术相比，本实用新型的优点在于：通过将高速接口设置在与DC和光学接口不同的一侧，使得高速连接不受DC和光学的干扰，且光学连接能够有足够的空间。
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“铌酸锂调制器的芯片布局结构” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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编辑：管理员
来源：北方有色网
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