本发明涉及一种基于石榴石结构的掺杂
铝的
锂离子导体，包括镧，尤其是掺杂铝的锆酸镧锂(LLZO)，其中锂离子导体/锆酸镧锂在镧位点上与至少一种三价离子M3+共掺杂，其中三价离子M3+具有小于La3+的离子半径，并且存在与化学计量的石榴石结构相比更高的锂含量，前提条件是，当M3+是钇时，另外的三价离子M3+共掺杂在镧位点上，该另外的三价离子不同于Y3+并且所具有的离子半径小于La3+的离子半径。执行共掺杂策略，其中在镧位点上利用相同价但直径更小的离子掺杂引起晶格几何形状的改变，从而产生立方变体。这导致立方晶体变体的稳定，即使在锂的量超化学计量的情况下，也存在立方晶体变体。
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“基于石榴石结构的掺杂铝的锂离子导体” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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