本发明涉及低偏振相关损耗铌酸
锂直条波导相位调制器及其制备方法，该调制器包括铌酸锂光波导
芯片和分别耦合粘接在铌酸锂光波导芯片两端的第一保偏尾纤组件和第二保偏尾纤组件，铌酸锂光波导芯片包括铌酸锂衬底、钛扩散波导区、退火外扩散区和金属电极，铌酸锂衬底采用x切y传晶片，钛扩散区域和退火外扩散区位于铌酸锂衬底的表层，且退火外扩散区位于钛扩散区域的两侧，金属电极位于退火外扩散区的表面，且正负电极关于钛扩散区域对称；第一、二保偏尾纤组件均包括第一保偏光纤和第一光纤固定块，该调制器同时实现器件低插入损耗和低偏振相关损耗，实现两个偏振态的功率均分，有效消除调制波形失真的情况，提高电光调制精度。
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“低偏振相关损耗铌酸锂直条波导相位调制器及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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