本发明公开了一种铌酸
锂薄膜QPSK光调制器及其制造方法，包括：石英基底晶片、铌酸锂薄膜、光学波导、金属薄膜电极以及金属封装管壳。本发明的有益效果如下：1)缩短了弯曲波导长度和行波电极长度，去掉了直流偏移补偿电极，实现了铌酸锂QPSK光调制器的小型化；2)采用低介电常数的石英材料作为铌酸锂单晶薄膜的基底晶片，实现了微波折射率与光波折射率的良好匹配，提高了铌酸锂QPSK光调制器的调制带宽；3)去掉了直流偏移补偿电极，降低了铌酸锂QPSK光调制器的信号处理复杂性；4)提高了铌酸锂薄膜晶圆的利用率，降低了铌酸锂薄膜QPSK光调制器的制造成本。
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来源：北方有色网
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