本发明涉及一种含硅
负极材料的折返式补
锂方法及负极片、电池，该方法包括如下步骤：将含硅负极材料形成于集流体上制得基片；将基片进行预加热，并将基片在真空条件的氛围下采用真空溅射的方式进行补锂；其中预加热的温度高于氛围的温度且低于补锂的靶材的熔点，氛围的温度为30℃～130℃；在真空溅射的步骤中，基片上第一侧表面的第一、第二区域相对设置，基片上第二侧表面的第三、第四区域相对设置；补锂的靶材的数量为多个且为双向溅射靶材，其中有部分靶材同时对基片的第一区域和第二区域进行补锂，还有部分靶材同时对基片的第三区域和第四区域进行补锂；补锂的靶材的材质为
金属锂、锂硅合金、锂硼合金、锂硫合金、氧化锂、氮化锂或碳化锂中的一种。
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“含硅负极材料的折返式补锂方法及负极片、电池” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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