本发明涉及一种铌酸
锂薄膜表面制作光学微纳图形的方法，属于微纳加工技术领域，包括：制作电子束曝光所需版图；对铌酸锂衬底进行清洗、烘干；在铌酸锂衬底上溅射金属导电层；在铌酸锂衬底上旋涂电子束胶；将铌酸锂衬底进行第一次电子束曝光制作标记；显影和定影；在铌酸锂衬底上磁控溅射金属制作金属标记；去胶剥离金属掩蔽的图形，制成带有金属突起标记的铌酸锂片；在铌酸锂片上旋涂电子束胶；将铌酸锂片进行第二次电子束曝光制作图形；显影和定影；进行图形转移，形成微纳结构。通过本发明所述方法，可在不导电的铌酸锂材料上制作侧壁陡直的图形，且可制作尺寸900nm以下的微纳图形，所制作的光波导折射率对比度大，可减小光器件尺寸，提高光器件性能。
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“铌酸锂薄膜表面制作光学微纳图形的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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