本发明提供一种卤族元素O位掺杂氧化
镍及其制备方法、靶材、薄膜材料及
锂电池负极、锂电池和用电设备，涉及
新材料领域。卤族元素O位掺杂氧化镍的制备方法：将
镍盐、卤盐溶于酸中，加热制备成干凝胶，然后将干凝胶煅烧即可。卤族元素O位掺杂氧化镍使用所述制备方法制得。靶材，使用卤族元素O位掺杂氧化镍烧结得到。薄膜材料包括：
碳纳米管薄膜以及设置在碳纳米管薄膜表面的活性物质层。锂电池负极，包括薄膜材料。锂电池，包括锂电池负极。用电设备，包括锂电池。本申请提供的卤族元素O位掺杂氧化镍，有效改善NiO的导电性能，降低内阻。薄膜材料容量高、能量密度高、倍率高。使用薄膜材料制得的锂电池，循环性能和安全性能好。
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“卤族元素O位掺杂氧化镍及其制备方法、靶材、薄膜材料及锂电池负极、锂电池和用电设备” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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