本发明属于半导体薄膜制备技术和新能源开发的领域，公开了一种三氧化钨半导体薄膜及其制备方法和应用。该方法包括：制备三氧化钨浆料；FTO导电玻璃的前期表面洗涤处理；以丝网印刷的方法在FTO基底上印刷三氧化钨浆料；对这种印刷有三氧化钨浆料的基底进行退火处理得到三氧化钨半导体薄膜。本发明的三氧化钨半导体薄膜制备方法工艺简单、成本低廉，可以直接得到厚度均匀、结构完整的半导体薄膜。WO3具有化学稳定性好，禁带宽度较低，价格低廉等优点，在染料敏化
太阳能电池和薄膜太阳能电池制作应用中具有良好的前景。
声明：
“三氧化钨半导体薄膜及其制备方法和应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
869
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
