本发明公开了一种用于人工光合作用的氮化镓基器件，自下而上有玻璃衬底、钼层、CIGS层、CdS层、本征ZnO层、TCO层、键合界面层、GaN层、InGaN层、NiO纳米颗粒层。其制备步骤如下：在玻璃衬底上沉积钼层，在其上共蒸发生长CIGS层，再依次沉积CdS层、ZnO层、TCO层；在GaN衬底上生长InGaN层；通过键合技术将GaN衬底键合于TCO层上，再在InGaN层表面生长NiO纳米颗粒层，获得用于人工光合作用的氮化镓基器件。本发明的氮化镓基器件具有吸收系数高、电流易调整且稳定性高的优点，可作为光阳极材料用于人工光合作用中，对减少二氧化碳排放以及新能源的开发利用具有非常重要的意义。
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来源：北方有色网
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