本发明涉及一种钼改性
碳化硅/
铜复合电子封装材料的制备方法，属于电子封装材料技术领域。针对碳化硅与金属铜的润湿性较差且高温下易与铜发生反应，致使制备的
复合材料的热导率降低的问题，本发明提供了一种钼改性碳化硅/铜复合电子封装材料的制备方法，本发明采用稻壳为原料，通过稻壳先炭化再高温合成两步法制备出碳化硅晶须，将碳化硅晶须经超声除油，氢氟酸除二氧化硅后，在其表面磁控溅射一层钼层，经高温处理使钼层重结晶致密化后聚集长大在碳化硅表面形成一层连续致密的钼层，改善碳化硅与金属铜的润湿性，增强界面结合力，再将其与铜粉混合均匀，经冷压成生坯后，真空热压烧结制得钼改性碳化硅/铜复合电子封装材料。
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“钼改性碳化硅/铜复合电子封装材料的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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