一种高介电常数和低介电损耗的聚合物复合薄膜及其制备方法和应用，属于嵌入式电容器和半导体存储器件等应用领域。本发明要解决相比无机陶瓷材料的高介电常数，聚偏氟乙烯及其共聚物还难以满足现在嵌入式电容器以及半导体储存器件生产应用的需求。本发明所述CNT@PDA是由多巴胺(DA)在
碳纳米管(CNT)表面自聚生成聚多巴胺(PDA)而制备，同时改变基体聚合物的种类和填料的添加量，得到一种高介电常数低介电损耗的聚合无机
复合材料。本发明广泛用于现代嵌入式电容器和半导体存储器件等的领域。
声明：
“高介电常数和低介电损耗的聚合物复合薄膜及其制备方法和应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1099
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
