本发明公开了一种低维氮化硅
纳米材料的制备方法，包括以下步骤：1)将SiO粉末置于坩埚底部，分别将纳米碳粉、
碳纳米管、
碳纤维等材料置于坩埚中部，再将坩埚放在多功能烧结炉中，抽真空至真空度低于10‑3Pa；2)向多功能烧结炉内充入高纯氮气，气氛压力为0.225～0.5MPa；3)多功能烧结炉升温至1650℃～1850℃，保温1～3小时进行气固反应，得到尺寸形貌可控的Si3N4纳米颗粒、纳米管、纳米纤维等低维纳米材料。该制备方法工艺简便，成本低廉，不产生污染环境的气体。本发明获得的低维氮化硅纳米材料可以广泛应用于纳米场发射器件、纳米光电子器件和纳米
复合材料等领域。
声明：
“低维氮化硅纳米材料的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
970
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
