本发明属于材料制备领域，具体公开了一种六方氮化硼陶瓷材料稳定碳酸银半导体的制备方法。包括如下步骤：(1)制备石墨相六方氮化硼纳米片；(2)沉淀法制备氮化硼/碳酸银纳米复合物：将制备的六方氮化硼纳米片在去离子水中超声分散，后加入硝酸银，磁力搅拌条件下逐滴加入碳酸氢钠溶液，后经去离子水和无水乙醇离心、洗涤、干燥后得到目标产品。本发明采用高温煅烧法制备出石墨相六方氮化硼，并以其作为载体，通过简单的沉淀法制备出氮化硼/碳酸银
复合材料，得到活性和稳定性明显提高的复合材料，在协同催化及稳定半导体方面具有重要的意义。
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“六方氮化硼陶瓷材料稳定碳酸银半导体的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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