ZnxCd1-xS纳米
复合材料的制备方法，在具有温度梯度的管式炉中，以配备有抽真空装置的石英管为反应器，将CdS或ZnS放置于反应器中部，反应温度800-900℃，升温速率400-600℃/小时；相应的将ZnCl2或CdCl2放置于反应器氩气流进气口一端，反应温度300-700℃；表面镀金的Si100片放置于氩气流出气口一侧作为样品生长的衬底，反应温度400-650℃；硫化物和氯化物原料的摩尔比为1∶2-2∶1，氩气吹扫时间0.5-3小时，氩气流速15-60毫升/分钟，x为0.2至0.95。本发明工艺简单、成本低、过程容易控制，无污染，样品形貌丰富、选择性高、重复性好。
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“一步可控合成多种形貌Zn-Cd-S半导体纳米复合材料的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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