本发明公开了一种MWCNT/CuInS2(MWCNT为多壁
碳纳米管)三元硫属半导体纳米粒子
复合材料的制备方法，该材料是在多壁碳纳米管上修饰CuInS2半导体纳米粒子，所述半导体纳米粒子通过溶剂热法原位沉积在碳纳米管上。经上述方法制备出来的纳米复合材料具有较好的非线性光学性能，是一种良好的非线性光学材料。另外，本发明的制备方法无需事先对碳纳米管进行氧化处理，使得碳纳米管的结构和性能的完整性得到了很好的保护，也不必在碳纳米管表面预修饰聚合物或表面活性剂，并且还是首次将半导体CuInS2纳米粒子修饰在碳纳米管上，具有操作简单、原料成本低廉和易得等诸多优点，适合工业化大生产与实际应用。
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来源：北方有色网
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