本发明涉及一种基于SISB
复合材料的相变存储器单元。SISB是一种复合材料,它既具备半导体特性,又具有相变特性,在电信号作用下材料具备在高、低电阻间的可逆转换能力。当SISB中的硅含量较高(SI含量大于百分之五十原子比)时,SISB材料为一种N型半导体;而当SISB中的硅含量较低(SI含量小于百分之三十原子比)时,SISB材料为一种相变材料,以作为相变存储器单元的存储介质。本发明采用N型的SISB半导体与P型硅形成二极管结构,并采用较低硅含量的SISB相变材料作为存储介质,形成1D1R结构(一个二极管和一个电阻),从而实现数据的存储功能。
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来源：北方有色网
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