本发明公开了一种微米级片层状Si/SiO2
复合材料、制备方法及其应用，属于微
纳米材料合成领域。本发明所使用的含硅物质为廉价易得的工业级硅源，将其按比例与氯化钠和镁粉混合，加入适量无水乙醇后研磨，真空干燥后得到前驱体。前驱体在500～700℃下煅烧后进行酸处理，洗涤、干燥后得到微米级片层状Si/SiO2复合材料。本发明原料价格低廉，工艺设备简单，整体能耗较低，适合工业化生产。本发明的制备方法，通过改变反应参数可以对Si/SiO2复合材料的组分比例进行调控，制备出的Si/SiO2复合材料形貌特征鲜明，呈微米级片层状。作为电池
负极材料，具有较好的
电化学性能。
声明：
“微米级片层状Si/SiO2复合材料、制备方法及其应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1294
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
