一种β-Ga2O3/SiC纳米
复合材料的制备方法。本发明涉及一种β-Ga2O3/SiC纳米复合材料的制备方法。本发明是为解决现有方法存在的粒径大、制备过程复杂和反应时间长的问题。方法：一、将尿素加入到去离子水中加热并搅拌至尿素完全溶解，再加入Ga(NO3)3溶液，搅拌至得到无色透明溶液；二、转移至内衬为聚四氟乙烯的容器中，然后将容器置入微波消解炉中加热，反应结束后自然冷却至室温，得到γ-Ga2O3前驱体；三、逐滴加入到SiC，然后先微波蒸干水分，再微波热处理，得到含SiC的固体混合物；四、将含SiC的固体混合物加入到去离子水中离心，再真空干燥，得到β-Ga2O3/SiC纳米复合材料。
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“β-Ga2O3/SiC纳米复合材料的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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